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南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料 】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126C Plastic-Encapsulate Transistors
2SD669
TO- 126C
2SD669A TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
1. EMITTER
Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair
with 2SB649/A 2. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 3. BASE
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector- Base Voltage 180 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 2SD669 120
V
2SD669A 160
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 1.5 A
PC Collector Dissipation 1 W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Collector-base breakdown voltage V I =1mA, I =0 180 V
(BR)CBO C E
I =10mA, I =0 2DS669
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