图案硅衬底上锗硅量子点生长.pdfVIP

後里大学 硕士论文陈培炫 第一章量子点位置可控生长的研究现状 §1．1自组织生长锗硅量子点及其存在的主要问题 量子点研究是纳米材料科学与技术研究中的一个非常热门的研究方向。载流 子在半导体量子点中受到三维限制而导致载流子能级的分裂，如同原子的分立能 级结构，所以通常也把半导体量子点称为人造原子。半导体量子点作为人造原子， 与实际原子相比较有其优异性。例如，通过改变半导体量子点的尺寸，组分，应 变等，可以相应改变量子点的能级结构【1】。此外，由于量子点通常嵌入另一半 导材料中，如锗量子点嵌入硅体材料中，利用半导体工艺技术，通过对主体半导 体材料结构的加工，可以反过来调控量子点的性质【2】。由于其独特的性质，量 子点在未来的纳米电子，光电子器件中将有着重要的应用前景。 半导体量子点的生长主要利用异质结外延生长的S·K模式。在异质结外延生 长，有三种生长模式，分别为层状生长、岛状生长和层加岛生长。异质结外延生 长遵循何种模式，主要区取决于外延层内应变能及表面能的变化。假设材料B 在衬底A上外延生长，这里定义总能量变化为： △艮巳+‰+EA8一黾8 其中￡0为外延层B的应变能，EsA为衬底A的表面能，厶B为外延层B与衬 底A的界面能，EsB为衬底B的表面能。 o“…17 獬衢7’2j强’ 7一i≈罄翳‰ 黝，++ ’口女％韶毪辫1竹^w。 …o锶”y麓，端? _ △EO 鼍罗△EO hho墨F △EO “i hho；众EO ；3D Layer-by-layer i islanding。i ：!}；Layer-by-island der iFrank·Van 貉，(Volmer-Weber),磊 Merwe),氛，(Stranski-Krastanow)．麓 如上图所示，当△E小于零时，材料A则层状生长，也称FVM生长模式。若 △E大于零，则外延层A在衬底上生长时，则按岛状模式生长，也称为VW生 长模式。而S．K生长模式中，外延层和衬底间的晶格失配较大，但是在外延的初 3 後堡大擎 硕士论文陈培炫 始阶段，△￡小于零，外延材料A可以通过弹性形变适应晶格失配，以二维层 tayer)．随着浸润层厚度的增加，应变能不 状模式生长，称之为浸润层(wetting 断积累，当浸润层厚度达到某一个临界值时，△E大于零，弹性形变二维层状 生长不再是最低能量状态，应变能通过在浸润层上形成三维岛而得到释放．形成 三维岛后，应变能减小，表面能增加，但系统的总的能量降低。 在自组织量子点器件应用中，光探测器和发光管对量子点的平面内周期性和 尺寸的均匀性要求不高，而激光器的应用则要求量子点有集中的尺寸分布．在信 息处理的应用中．如单电子晶体管和量子自动原胞机等概念器件中，除了要求尺 寸和形状一致的空间有序的量子点阵列外，甚至需要对量子点的位置实现精确控 制【3，4】。为了使量子点材料在器件中得到应用，很重要的一点就是要求能够对 量子点进行定位。然而，利用自组织方法在平衬底上生长的量子点在空间上时随 机排列的，这种无序性显然无法满足对量子点进行定位的要求。而均匀排列的量 子点阵列就可以很好的解决对量子点进行定位的问题，而且在规则排列的量子点 阵列中，量子点的尺寸的均匀性也可以得到明显的改善【5】，相应的话也会影响 的量子点的光学和电学特性，以此均匀排列的量子点阵列与随机分布的量子点阵 列在光学与电学性质的也将有所不同。因此，目前有序排列量子点阵列的生长及 其性质研究与器件应用，已称为材料科学的研究热点。 §1．2提高量