电力电子技术——电力电子器件_GTR 丶电力MOSFET丶IGBT.pdf

电 力 电 子 技 术 Power Electronic Technology 电力电子器件_GTR 、电力MOSFET、IGBT 3.7 电力晶体管GTR 术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体 管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT ），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效  应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但 目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 合肥工业大学电气工程学院电力电子与电力传动教研组 4.1 GTR的结构和工作原理 GTR的结构和工作原理 ( 图1-15 ）  与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的  主要特性是耐压高、电流大、开关特性好  通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构  采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 合肥工业大学电气工程学院电力电子与电力传动教研组 4.1 GTR的结构和工作原理  一般采用共发射极接法，集电极电流i 与基极电流i 之比为 c b i  c （1-9） i b   ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制 能力  当考虑到集电极和发射极间的漏电流I 时，i 和i 的关系为 ceo c b i  i +I （1-10） c b ceo  产品说明书中通常给直流电流增益h ——在直流工作情况下集电极 FE 电流与基极电流之比。一般可认为hFE  单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达 林顿接法可有效增大电流增益 合肥工业大学电气工程学院电力电子与电力传动教研组 4.1 GTR的基本特性  (1) 静态特性 • 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 • 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 • 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 I c 区 和 放大区 饱 i b3 i