三甲基铟、三乙基铟制备的研究进展.pdfVIP

第 23 卷 　第 3 期 稀　有　金　属 1999 年 5 月 Vol. 23 №. 3 　　 　　　 　　　CHIN ESE J OURNAL OF RARE METAL S 　　　 　　　 　 　　　　　 May 1999 三甲基铟、三乙基铟制备的研究进展 舒万艮 　李 　雄 　王歆燕 ( 中南工业大学化学系 , 长沙 4 1 0 0 8 3 ) 摘 　要 : 　根据国外三甲基铟和三乙基铟制备的发展概况 , 从合成与纯化两方 面论述了其研究进展 。 关键词 : 　三甲基铟 　三乙基铟 　合成 　纯化 　　高纯三甲基铟和三乙基铟是金属有机化 应是放热反应 , 一般在乙醚中进行 , 反应中可 学气相沉积 ( 简称 MOCVD ) 、金属有机分子束 使用的碱金属包括锂、钠、钾、铯 , 其中效果 外延 ( 简称 MOMBE ) 等技术生长半导体微结 最好的是锂 , 而烷基卤化物中的卤素一般选 构材料的铟源[1 ] 。在半导体工业中 , 它们单独 择溴或碘。反应结束后 , 产物经过滤、洗涤、 或与至少一种第五主族元素 ( 主要是磷和砷) 蒸馏等方法分离出来。以三甲基铟的合成为 的气态氢化物沉积到合适的晶体基质上 , 可 例 , 化学反应式如下 : C H OC H 制成性能极其优良的半导体材料 , 在国外被 2 5 2 5 In + 3Li + 3CH I In ( CH ) + 3LiI ( 1) 3 3 3 广泛应用于电子工业中制造红外控测器、微 该方法的显著优点在于原料简单易得 , 且 波振荡器、半导体光发射二级管等的核心原 便于后续的纯化过程。 件[2 ] 。在半导体工业中需要高纯的三甲基铟和 - 5 1 2 　以三氯化铟为原料的合成方法 三乙基铟 ( 杂质量 ≤1 ×1 0 ) , 因为极少量的 这种方法一般包括三个步骤 : ① 合成溶 杂质都会给半导体沉积层的性能带来极大的 ( ) ( ) 剂加合物 R3 In y ·E E 表示醚 ; ②溶剂加 影响。 合物与配体 L 反应形成配体加合物 ( R3 In ) y · 高纯三甲基铟和三乙基铟的制备技术是 L , 其 R 代表甲基或乙基 , L 代表含芳基的磷 英、美、日及俄罗斯等国家八九十年代的重点 配体 ; ③ 加热配体加合物使其热分解 , 将三 研究课题 , 其化学合成技术已渐趋成熟