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第二章 半导体中的电子状态;§2. 1 半导体的晶格结构和结合性质 -- §1.1
§2. 2 半导体中的电子状态和能带 -- §1.2
§2. 3 半导体中电子的运动和有效质量 -- §1.3 -1.4
§2. 4 回旋共振 -- §1.5
§2. 5 Si、Ge和GaAs的能带结构 -- §1.6-1.8
§2. 6 半导体中杂质和缺陷能级（自学）-- §2.1-2.3
;§2.3 半导体中电子的运动和有效质量;§2.3.1 半导体中的E(k)与k的关系;式中的 称为能带底电子有效质量。
导带底：E(k)E(0)，电子的有效质量为正值。
能带越窄，k=0处的曲率越小，二次微商就小，有效质量就越大
;§2.3.1 半导体中的E(k)与k的关系;有效质量的特点
有效质量的正负与位置有关。
能带顶部附近，有效质量为负；能带底部附近，有效质量为正。
有效质量的大小由共有化运动的强弱有关。
能带越窄，二次微商越小，有效质量越大（??层电子的有效质量大）；能带越宽，二次微商越大；有效质量越小（外层电子的有效质量小）。
;电子在周期势场中的运动，用平均速度，即群速度来描述。
群速度是介质中能量的传输速度。
布洛赫定理说明电子的运动可以看做是很多行波的叠加，他们可以叠加为波包，而波包的群速就是电子的平均速度。
波包由一个特定波矢k附近的诸波函数组成，则波包群速Vg为
电子能量;当半导体存在外电场的时候，需要考虑电子同时在周期性势场中和外电场中的运动规律
考虑dt时间内电场E对电子的做功过程;Semiconductor Physics;E~k, v~k , m*~k关系;Semiconductor Physics;有效质量推导;Semiconductor Physics;Semiconductor Physics;Semiconductor Physics;Semiconductor Physics;不满带电子能导电;Semiconductor Physics;Semiconductor Physics;Semiconductor Physics
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