硅基集成螺旋电感的分析与片上天线的设计和优化.pdfVIP

第一章引言 第一章引 言 【．I关于硅基集成螺旋电感 随着CMOS工艺的进步，晶体管的截止频率^变得越来越高，这使CMOS集成电路在较 低GHz频率范围的应用目益广泛。和GaAs工艺相比，CMOS工艺在价格，功耗方面都占有显 著的优势，同时在C,ⅥOS工艺中，模拟和数字电路可以集成在一起，因此可以实现更高程度 的集成。 尽管在CMOS=[艺上集成晶体管、二极管、电容和电阻都很容易，但要实现单片CMOS f}}频集成电路仍然有一定的固难。我们知道，射频集成电路的所有重要子单元中都要甩到电 感，电感占据了射频集成电路的很大部分面积，其性能好坏也直接影响了射频集成电路的总 体性能，因此．片上电感在单片删os射频集成电路的实现中是一个非常重要的课题。 硅基集成螺旋电感是实现片上电感的主要方式，它利用集成电路中的金属连线围绕形 成螺旋状而使元件具有电感的特性[1](图1．1)。在标准C,dOS工艺中，由于组成螺旋电感的 金属连线电阻较高，加上锅合到硅基衬底的损耗，硅基集成螺旋电感的品质因素普遍不高， 同时螺旋电感处于复杂的电磁场环境下，其模型建立和仿真也非常困难。 十多年来，有许多人致力于硅基集成螺旋电感的研究，这些研究主要集中在两个方面： 一是关于硅基集成螺旋电感的模型建立和仿真，主要目标是为了快速、精确、灵活地对硅基 集成螺旋电感进行模拟[2][3】；二是关于硅基集成螺旋电感的设计和优化，主要目标是使硅 基集成螺旋电感的品质因素在一定的工作频率最大化[4][5]。这些研究进一步加深了我们对 硅基集成螺旋电感的了解，也将有助于下面关于片上天线的设计和优化。 囤1．1硅基集成螺旋电感 硅基集成螺旋电筹的研究厘片上天线的设计和优化 第一蕈引言 1 2关于片上天线 图l2是我们现在普遍使用的ID一1型非接触式Ic卡(8572ramX54．03ram×O 76ram ±容许偏差)C61 t它由外鬣天线和芯片组成，外置天线和芯片以常规方式焊接成一个整体。 o__-____oo●_●●●o_■___o_●■____■-●_一 |I rt薪 『Core／ ＼Bonding tactless Card Antenna 圈1．2非接触Ic卡的基本外形 为了使产品微型化井降低产品的制造成本，可以将外置天线集成到片内，即所谓片上天 线的实现方式。目前市场上已经有利用片上天线技术制造的相关产品[6][7][8](圈l3)， 在这些产品中，为了提高片上天线的品质因素，庄片上天线的实现中使用了一种特殊的微机 做加j：的方法，这种微机械加工的方法可以在cM0s品片上进行。如图1 4所示．螺旋状的 片上天线位于芯片最上部，井通过钝化层中的掩膜孔与其下的电路触点接通，这样可以得到 岸度为20p．m的导线，同时导线和衬底表面的距离也比较大。h了舫止微机械加工中对片上 天线的机械磨损t需要在天线表面淀积一层很薄的聚酰胺．此外，为了保证片上无线与芯片 结合体中的非接触储存器组件的机械承载能力，最后要用聚酰胺进行钝化。 图1，3采用片上天线技术制造的64bi‘只读标签 图1．4采用片上天线技术制造 45mm 卡t其尺寸为1．6×1．Ox0