亚微米硅基光波导的设计与模式特性分析.pdfVIP

第一章绪 论 1．1研究背景与目的 20世纪末出现的因特网标志着人类社会进入到一个崭新的时代——信息化时代。在 这个时代人们对信息的需求急剧增加，传统的通信技术已经很难满足不断增长的通信容量 的要求，建设高速大容量的宽带综合业务网已成为现代信息技术发展的必然趋势。而建设 高速大容量的宽带网络，原有的电学器件已经满足不了我们的要求，这就要求我们发现新 的材料与工具。许多传统的III-V族材料的电光调制器利用直接电光效应实现了40GHz高速 电光调制，tu是器件制作成本高，而且与微电子工艺不兼容。因此，人们对大容量、宽带 宽，低成本信息传输系统的渴望导致了硅基光电子学的诞牛。在日常生活里，硅可以说无 处不在，电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开硅材料，硅作为科技应用 普及材料之一，已经渗透到人们生活中各个角落。 随着硅基光学和光电子学的发展，硅基光波导器件和光电子器件受到了广泛重视。硅 材料作为微电子领域的传统材料，在加工工艺和制作成本上有着其他材料无可比拟的优 的发展而出现的。当时主要用于制作MOSFET器件以减dxMOS器件的小尺寸效应，在深亚 微米VLSI技术中具有明显的优势和潜力。然而，当SOI被应用到光电器件以及光子器件领 域时，它所具有的先天优势使得这一研究方向备受关注，并且得到了极为迅速的发展。SOI 材料用于导波器件时，其优越性主要体现在其良好的波导特性、与传统微电了工艺的高度 兼容性、成熟的制备工艺、低廉的成本、在光通信长波长窗口的低吸收损耗特性等。 近年来的研究表明，当波导中载流予浓度发生变化时(只要浓度变化达到一定的数量 级lOEl7以上)就会引起比较明显的折射率变化。 就SOI器件而言，高速的光调制器一般都是通过Si的等离子色散效应来实现。根据这 一效应，Si的折射率随材料中自由载流子浓度的增大而减低，同时就可以通过驱动电路 来实现对波导中光场的相位调制，进而通过器件的光学结构实现开关／调制动作。等离子 色散效应与电光效应的不同之处在于，后者利用的是材料折射牢在电场下的变化，而前者 利用的是材料折射率随自由载流子浓度的变化。 近年来SOl电光开关／调制器的研究取得了令人瞩目的进展，通过采用各种各样的电 学调制结构利光学结构，例如光栅结构以及微环结构，SOl电光开关／调制器的响应时间 达到了纳秒(ns)量级。现在的波导不只在调制速率上有了很大的进步，器件也正在不断 Ilm量级的硅线光波导器件。 地向小型化、实用化方向发展，国际上已经出现了尺寸在0．3 然而光波导的尺寸缩小后，单模传输条件将发牛改变，需要重新确定，而且也会带来 传输损耗增大，偏振相关性增强，与光纤之间耦合效率下降等难题。因此在设计新的高速 硅基电光调制器的过程中，将不得不考虑这些问题。 通过目前世界技术水平和我国的研究状况对比，可以明显看出，我国在硅基光了学器 件，尤其高速电光调制器方面的研究还处于初期阶段，和国外的差距较大，这种差距-丰要 体现在器件制备工艺上，在器件结构设计上，国内仍然能够走在国际前列。在传统P～i—n 结构电光开关的基础上继续高速调制器的研究，缩小与国外先进水平的差距是我们今后努 力的方向。 1-2国内外研究现状、发展趋势 1．2．1国内外研究现状 20世纪末出现的因特网标志着人类社会进入到一个崭新的时代——信息化时代。在 这个时代人们对信息的需求急剧增加，传统的通信技术已经很难满足不断增长的通信容量 的要求，建设高速大容量的宽带综合业务网己成为现代信息技术发展的必然趋势。 在电子通信技术遇到上述的发展瓶颈的时候，一些新兴的通信技术就应运而生了，在 这些通信技术中，光通信技术凭借其巨大潜在带宽容量的特点，成为支撑通信业务量增长 最重要的通信技术之一。1970年，美国Coming公司第一次宣布它所研制的高纯硅酸盐 玻璃单模光纤的损耗己小于20dB／km，从而打开了光纤通信走向实用化的大门，使光纤通 信迅速的发展起来。 开关速度的电光调制，其基本结构为MZ干涉仪，其调制原理仍然利用硅的等离了色散效 应。但是，由于其相移区结构的改善，使得整个器件的调制速率大为提高，可达至fJlGHz以 上。有评论称这是硅基光电子学的里程碑。它标志着一个崭新的硅光子学时代的来临。随 后，Intel公司又相继提出了硅基挝曼光放大器以及挣曼光调制器，并对最初提出的光调 制器进行了改进。目前，改进的MOS电容