Lecture+3（综合）+第一章+非平衡载流子（2013）.pptVIP

2013,02-06 * 半导体物理基础 Lecture 3 一、非平衡载流子的产生与复合二、准费米能级三、非平衡载流子的复合机制 四、非均匀半导体中的自建电场 五、半导体中的基本控制方程 半导体的平衡态并不是总能成立的，如果某些外界因素，如光照等，作用于平衡半导体上，此时，平衡态条件就被破坏，样品处于偏离平衡态的状态，称为非平衡态。 光子能量 一、非平衡载流子的产生与复合 1. 基本概念 （1）光照后半导体载流子的就不再是n0 和p0，而是分别多了Δn和Δp ，并且Δn=Δp 。多出的这部分载流子就称为非平衡载流子。光照后的非平衡半导体中电子的浓度是：n= n0+Δn， p= p0 + Δp 。 如果Δn n0 ,Δp n0满足这样的注入条件称为小注入。 光照产生非平衡载流子的方式称做非平衡载流子的光注入，此外还有电注入等形式。 !Δp (如果注入为1010） （2）在N型半导体中，虽然Δnn0 (1015)，但有Δpp0 (105) ，因而相对来说非平衡多子的影响较弱，而非平衡少子的影响起主要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 （4）当产生非平衡载流子的外部作用撤除后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到平衡态，这个过程