Lecture+4+第二章++2.1+热平衡PN结（2013） .pptVIP

2013,02-06 热平衡PN结 第二章 PN结 Lecture 4：§2.1 1. PN结的形成机理与接触电势 2. 空间电荷区的电场与宽度 3. 平衡PN结的载流子分布 一般将锗和硅称为第一代半导体材料。将砷化镓、磷化铟等称为第二代半导体材料，而将宽禁带的碳化硅、氮化镓和金刚石等称为第三代半导体材料 1. 扩散法 在N型或P型单晶硅片上，通过氧化、光刻、扩散等工艺制得的PN结，其杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定。在这种PN结中，杂质浓度从P区到N区是逐渐变化的，通常称为缓变结。 一、PN结的形成机理与自建电势 突变结近似 线性缓变结近似 杂质扩散PN结的杂质分布示意图 表面浓度很低，结深很深的扩散结，看作线性缓变结； 表面浓度很高，结深很浅的扩散结，看作单边突变结。 2、离子注入法 在掩模板窗口附近的横向分布为余误差分布，纵向近似为高斯分布。 当这两部分半导体靠得很近，甚至相互接触时，由于交界面存在着电子和空穴的浓度差，N区中的电子要向P区扩散， P区中的空穴要向N 区扩散。这样，对于P区，空穴离开后，留下了不可动的带负电的电离受主，这些电离受主在PN结的P区侧形成了一个负电荷区；同样的，在N区由出现了由电离施主构成的正电荷区，这个交界区域就是PN结。通常把PN结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷，它们所在的区域称为空间电荷区。 3、形成机理 由于电场的存在使