第3章二极管及其基本电路.pptVIP

* 第3章 二极管及其基本电路 § 1 半导体的基本知识 § 2 PN 结的形成及特性 § 3 二极管 § 4 特殊二极管 一、导体、半导体和绝缘体 导体 半导体 绝缘体 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 §1 半导体的基本知识 1、自然界中的物质按照其导电性能可分为 半导体之所以能制成半导体器件，并不是因为它的导电性能介于导体和绝缘体之间，而是因为它具有一些独特的导电性能。 (1) 与温度有关：T↑→ρ↓ 即负温度系数 (2) 与光照有关 光照↑→ρ↓ 与掺杂有关 掺杂↑→ρ↓ 而且搀入不同的杂质，还可以改变其导电类型。 2、半导体的特点：半导体的导电性能 二、本征半导体 1、本征半导体的结构特点——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 +32 +14 （1）硅(Si) 、锗(Ge)原子的结构 +4 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。使原子规则排列，结构紧凑。 二、本征半导体 1、本征半导体的结构特点 （2）硅、锗原子的共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键共用电子对 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 自由电子 空穴，一种带正电荷的粒子。 电子(N)－空穴(P)总是成对出现的---本征激发; 电子--空穴对的数目对温度、光照十分敏感； 电子和空穴也可以复合而消失； 一定温度和光照下，电子和空穴的浓度稳定。 二、本征半导体 2、本征半导体的导电机理 （1）载流子、自由电子和空穴 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 （2）导电情况 二、本征半导体 2、本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 E 电子电流 IN 空穴电流 IP 电子和空穴统称为载流子； 总电流＝IN+IP； 电流很小； 空穴运动的实质是共有电子依次填补空穴的运动； 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度nN(nP) 。 T↑→nN(nP)↑→ρ↓ 温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 三、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 1、N 型半导体 多余 电子 施主原子 在本征半导体中掺入少量的五价元素的原子（磷或锑），取代晶体点阵中的某些半导体原子，每个施主原子提供一个自由电子。 三、杂质半导体 （1）由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 （2）本征半导体中成对产生的电子和空穴。 nNnP 自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 N 型半导体中的载流子包括 +4 +4 +4 +4 +5 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +4 +4 +4 +4 +3 （1）在本征半导体中掺入三价元素的原子（受主杂质）而形成的半导体。 （2）每一个三价元素的原子提供一个空穴作为载流子。 空穴 硼原子 （3）P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 2、P 型半导体 （4） P型半导体的模型 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 三、杂质半导体 （1）杂质半导体就整体来说还是呈电中性的。 （2）杂质半导体中的少数载流子虽然浓度不高，但对温度、光照十分敏感。 （3）杂质半导体中的少数载流子浓度比相同温度下的本征半导体中载流子浓度小得多。 3、说明 三、杂质半导体 1、漂移电流 载流子在电场作用下有规则的运动-------漂移运动 形成的电流-------漂移电流 2、? 扩散电流 载流子由于浓度的不均匀而从浓度大的地方向浓度小的地方扩散所形成的电流。 四、漂移电流与扩散电流 一、PN 结的形成 §2 PN结的形成及特性 － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 型半导体 载流子浓度差 扩散 内电场E 漂移 扩散电流 漂移电流 动态平衡