微电子学概论_第3章大规模集成电路基础.pptVIP

* CMOS反相器的直流特性 Vin=0，NMOS截止，PMOS导通， 稳态Vout= VDD ,“1”； Vin= VDD，NMOS导通，PMOS截止 , 稳态Vout=0； V in = V DD V DD V out = 0 V out = V DD V in = 0 V DD 反相器的工作特点： Vout=Vin； 稳态单管导通，没有直通电流 * CMOS与非门 CMOS二输入与非门 电路图 逻辑符号与真值表 1 * CMOS或非门 电路图 逻辑图 真值表 * 静态CMOS逻辑门的构成特点 1）每个输入信号同时接一个 NMOS管和一个PMOS管 的栅极, n输入逻辑门有 2n个管子。 2）实现带“非”的逻辑功能 input: x1,x2,……,xn output: To be continued… * F1 F2 F = F1 F2 F1 F2 + F = F1 F2 A B C F = A B C A B C F = A B C + + 3) 逻辑函数F(x1,x2,……,xn) 决定于管子的 连接关系。 NMOS：串与并或 PMOS：串或并与 4) 静态CMOS逻辑门保持了CMOS反相器电路的优点。 D C B A D C B A CY C3 C2 C1 * 复杂逻辑门的结构 对于给定电路,根据NMOS或PMOS逻辑块确定电路功能。 NMOS：串与并或 PMOS：串或并与 * 举例 电路图 逻辑图 Y=(A+B)C+D 对于给定功能, 先画出NMOS电路, PMOS与NMOS是对 偶连接关系。 NMOS：串与并或 PMOS：串或并与 * MOS存储器的分类 MOS存储器主要分为两大类 随机存取存储器（Random Access Memory, RAM）：挥发性存储 ，断电后存储内容消失。 只读存储器（Read Only Memory, ROM）： 不挥发性存储，存储内容可以长期保持，至少保持10年以上 。 不挥发性随机存取存储器(FeRAM, MRAM) * 随机存取存储器RAM分类 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory, DRAM）: 存储原理：依靠电容存储，保持时间短，必须定期刷新。 特点：单元电路简单，面积小，有利于提高集成密度 用途：集成度高、功耗低，适合于计算机的内存 。 静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）： 存储原理：双稳态电路存储 ，只要不断电存储信息不会丢失。 特点：电路复杂，占用面积大，集成度不如DRAM高 。 用途：工作速度快，常用来作高速缓冲存储器（cache） 。 东北大学 金硕巍 大规模集成电路基础 3. 1半导体集成电路概述 集成电路（Integrated Circuit，IC） 芯片（Chip, Die） 硅片（Wafer） 集成电路的成品率： Y= 硅片上好的芯片数 硅片上总的芯片数 100% 成品率的检测，决定工艺的稳定性，成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比 集成电路发展的特点：性能提高、价格降低 集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性 主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积 功耗 延迟积 集成电路的关键技术：光刻技术(DUV) 缩小尺寸：0.25~0.18mm 增大硅片：8英寸~12英寸 亚0.1mm：一系列的挑战， 亚50nm：关键问题尚未解决 新的光刻技术： EUV SCAPEL(Bell Lab.的E-Beam) X-ray 集成电路的制造过程： 设计 工艺加工 测试 封装 定义电路的输入输出（电路指标、性能） 原理电路设计 电路模拟(SPICE) 布局(Layout) 考虑寄生因素后的再模拟 原型电路制备 测试、评测 产品 工艺问题 定义问题 不符合 不符合 集成电路产业的发展趋势： 独立的设计公司（Design House） 独立的制造厂家（标准的Foundary） 集成电路类型：数字集成电路、模拟集成电路 数字集成电路基本单元：开关管、反相器、组合逻辑门