高k-zro,2基薄二膜生长行为及其稳定性的研究.docx

大连理工大学博士学位论文摘 大连理工大学博士学位论文 摘 要 利用高k介电薄膜材料替代传统的Si02栅介质层是满足发展亚0．1 um以下尺寸的 超大规模集成电路的要求，是目前微电子领域的研究热点之一。zr02薄膜因其具有合适 的介电常数、较大的禁带宽度及与si的导带和价带存在较大的偏置，被认为是最有希 望的替代Si02的高k介电材料之一。为了满足超大规模集成电路对栅介质层的苛刻要 求，尚需要改善非晶Z102薄膜的热学稳定性、薄膜与si基体之间的界面热学稳定性以 及表面粗糙度、薄膜均匀性等众多问题。 本论文利用反应射频磁控溅射薄膜制各技术，围绕“高k-ZK32基薄膜生长行为及 其稳定性研究”这一课题，利用原子力显微镜、透射电子显微镜、变角光谱椭偏仪、透 射光谱仪、电子能量色散谱和C-V、1-V测量系统等分析技术和表征方法，系统研究了 沉积参数、退火处理对高k-ZrOz基薄膜的表面形貌、微观结构、界面状态以及电学性能 的影响，取得的主要研究结果如下： I． 氧分压对及02薄膜生长行为影响的研究结果表明：随着氧分压的增加，Zr02薄膜 微结构演化过程是a-Za02(非晶)一日一Z102+少量m．Zr02(单斜)斗m-Zr02+t-Zr02 (四方)--m-Zr02。氧分压增加所引起的zr沉积速率的下降是导致薄膜相结构转 变的重要原因。氧分压对Zr02薄膜与基体的界面厚度的影响存在一个临界值。当 氧分压小于临界值时，膜基界面厚度不受氧分压变化的影响；当氧分压大于临界值 时，膜基界面厚度随氧分压的增加而增加：氧分压对膜基界面的影响机制与薄膜的 结晶状态有关。物理特性分析表明：薄膜的结晶状态影响着Zr02薄膜的介电性 能。在氧分压为15％时，获得了综合性能良好的非晶态Zr02介电薄膜，薄膜的相 对介电常数达25、薄膜具有较大的禁带宽度、较低的漏电流、表面平整、良好的 界面稳定性。低氧分压下沉积的Zr02薄膜的主要漏电流输运机制为Schottky发 射。 2． 沉积温度对Zr02薄膜生长行为影响的研究结果表明：沉积温度低于250℃时，Z102 薄膜的结构完全呈非晶态，但250℃沉积的薄膜的致密度比较高；随着沉积温度升 高至450。C，薄膜出现了明显的结晶现象，主要为单斜Zr02相，在晶粒堆砌间隙有 非晶ZrCh相存在；沉积温度为550C时，Zr02薄膜完全晶化，主要为单斜Zr02 相，在晶粒堆砌间隙有四方Zr02相存在。在室温至550。C的沉积温度范围内，1102 薄膜的生长机制有所不同；室温下，以无表面扩散和近邻原子取向择优生长为主； 高k-Zr02基薄膜生长行为及其稳定性的研究250—450℃时，以有限表面扩散为主，并导致平滑的表面形貌：550℃时，以晶粒 高k-Zr02基薄膜生长行为及其稳定性的研究 250—450℃时，以有限表面扩散为主，并导致平滑的表面形貌：550℃时，以晶粒 择优生长为主，导致表面粗糙度的增加。 3． 在zr02／st膜基界面热学稳定性研究中，观察到氧沿晶界扩散的实验现象；提出了 界面反应的氧扩散晶界通道机制，即，在退火处理过程中，zr02薄膜晶化所形成的 晶界是氧向基体扩散的主要通道，是导致ZrOffSi界面厚度增加的主要原因。本文 提出使用砧203作为扩散阻挡层来改善界面特性。研究结果显示： A1203过渡层具 有原子级的平整度，可以有效地阻挡氧向基体的扩散，从而保证了Zr02／Si界面的 热学稳定性。 4． Zr02基高k栅介质薄膜的热学稳定性研究表明：低含量赳掺杂将导致薄膜结晶化 温度降低，高含量越掺杂则可以改善Zr-A1．O三元系非晶薄膜的热学稳定性。 当 Zr／A1原子比为5：4时，Zr-AI—O三元薄膜为完全的非晶结构，但存在着轻微的两 相分离，其结晶化温度不低于800℃；zr-AJ．0三元薄膜与基体之间的界面清晰、 陡直；经过800℃退火后，薄膜与si基体间形成了一个厚度约为3 nm左右非晶界 面层：电学特性研究表明：Zr-AI-O三元薄膜的最佳退火温度为800℃，薄膜在±1．5 偏压下的漏电流分别为7xl旷A／era2(正向)和lxl05 A／cm2(反向)，同等效氧 化厚度为2 nm纯Si02薄膜相比，漏电流降低了近6个数量级。 5． 从非晶形成能力的观点，综合高k栅介质薄膜的介电特性，提出Zr-AI—Ti．O四元系 作为栅介质薄膜材料的可能性，并探索了Zr-A1．Ti．O四元系的薄膜优化工艺；研究 结果显示：z卜脚_Ti．O四元系具有非常宽的非晶成分范围，说明Ti掺杂有利于非晶 的形成；通过优化薄膜中Zr／AI原子配比， 获得了具有均匀非晶相的Z卜烈-Ti—O 四元系薄膜，其结晶化温度不低于850℃，且能够保证薄膜的介电常数保持在适当 高的数值。 关键词：高介电材料，