第3章通信用光器件.ppt

3.2.3雪崩光电二极管(APD) 光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图3.24。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。APD就是根据这种特性设计的器件。 图 3.24 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 APD (Avalanche photo diodes) 根据光电效应，当光入射到PN结时，光子被吸收而产生电子 - 空穴对。如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞，使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，见图3.25。所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。 图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图 APD的结构有多种类型，如图3.26示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。在这种类型的结构中，当偏压加大到一定值后，耗尽层拉通到Π(P)层，一直抵达P+接触层，是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。 图3.26 APD结构图 1. 倍增因子 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用， 并把倍增因子g定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。 APD的响应度比PIN增加了g倍。 响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值 根据经验，并考虑到器件体电阻的影响，g可以表示为： 式中，U为反向偏压，UB为击穿电压，n为与材料特性和入射光波长有关的常数，R为体电阻。当U≈UB时，RIo/UB1，上式可简化为 g的范围从几十到几百，大小随反向偏压、波长和温度的变化而变化。 2. 过剩噪声因子 雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用，所以APD的均方量子噪声电流为  〈i2q〉=2eIPBg2 (3.26a) 这是对噪声电流直接放大产生的，并未引入新的噪声成分。事实上，雪崩效应产生的载流子也是随机的，所以引入新的噪声成分，并表示为附加噪声因子F。F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量子噪声电流应为  〈i2q〉=2eIPBg2+x (3.26b) 式中， x为附加噪声指数。  同样，APD暗电流产生的均方噪声电流为 〈 i2d〉=2eIdBg2+x (3.27) 附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关，  SiAPD x=0.3~0.5， GeAPD x=0.8~1.0， InGaAs x=0.5~0.7。 当式(3.26)和式(3.27)的g=1时，得到的结果和PIN相同。 3.2.4光电二极管一般性能和应用 APD是有增益的光电二极管，在光接收机灵敏度要求较高的场合，采用APD有利于延长系统的传输距离。但是采用APD要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路，结果增加了成本。因此在灵敏度要求不高的场合，一般采用PIN-PD。  Si-PIN和APD用于短波长(0.85μm)光纤通信系统。InGaAsPIN用于长波长(1.31 μm和1.55 μm)系统，性能非常稳定，通常把它和使用场效应管(FET)的前置放大器集成在同一基片上，构成FET-PIN接收组件，以进一步提高灵敏度，改善器件的性能。 这种组件已经得到广泛应用。新近研究的InGaAs-APD的特点是响应速度快，传输速率可达几到十几Gb/s，适用于超高速光纤通信系统。 3.3光 无 源 器 件 光纤通信系统对无源器件的要求： （1）插入损耗小、反射损耗大。 （2）工作温度范围宽、性能稳定、寿命长。 （3）价格便宜， 体积小便于集成。 3.3.1连接器和接头 连接器:实现光纤与光纤之间可拆卸(活动)连接的器件 (1)用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间的连接。 (2)用于光纤线