少层二硒化铼场效应晶体管的电输运特性.PDF

◎201万～500万 中国科技信息 2018 年第 13 期·CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION JuI.2018 DOI：10.3969/j.issn.1001- 8972.2018.13.036 可实现度 可替代度 行业曲线 link appraisement industry 田学伟 王永生 张 璐 刘安琪 何大伟 影响力 真实度 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息教育部重点实验室 田学伟（1991 －）女，河北张家口，硕士，研究方向为光电子器件。 point 行业关联度 本文针对二维过渡金属硫化物的光电性能研究，提出的观点。在二维半导体材料光电器件行业起到基础性作用。 如付诸现实将产生良好的经济效益。 点评人：何大伟：博士生导师，主要从事复合发光的动力学、能量传递、瞬态光谱及光致发光、场致发光、光发 射材料和器件机理分析及研究工作。作为项目负责人，承担了国家自然科学基金、北京市自然科学基金等多项项目、 作为骨干参加“863”项目三项、国家自然科基金委重点一项、自然基金面上项目 5 项，以上研究工作中在国内外学 术杂志，以第一、二作者发表的论文共计 110 余篇。 少层二硒化铼场效应晶体管的电输运特性 光表现出明显的光响应，分别对于 850 nm 和 940 nm 的光 我们通过使用光学对比度发现了单层 ReSe2 的光学对比度为 响应度分别高达 8.4 和 5.1 A/W 。 6.46％。通过光学显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱和原子力显微镜来 表征 ReSe2 样品的光学性质。此外，制备基于机械剥离的少层 ReSe2 本文采用机械剥离法制备出双层及少层 ReSe2 薄膜， 的场效应晶体管（FET）并测试其输出和转移特性曲线研究其电输运特 并对 2 层、4 层及 ReSe2 体材料进行拉曼光谱和光致发光 2 性。ReSe 场效应晶体管的载流子迁移率达到 4.7cm /（V s），电流 2 ⋅ 光谱表征及光学对比度的表征。此外，我们还制备了基于少 4 开关比为 10 ，表现出 n 型特性。