柔性全无机钙钛矿CsPbBr3非易失存储器件-国家级大学生创新创业.pdf

柔性全无机钙钛矿CsPbBr 非易失存储器件 3 1 1 1 1 2 1 1 重庆大学 刘东觉 ，林琪琪 ，臧志刚 ，王明 ，汪洋培华 ，唐孝生 ，胡伟 1、重庆大学光电工程学院光电子技术与系统教育部重点实验室 重庆市400044 2、成都信息工程学院光电技术学院四川省材料信息与器件应用重点实验室 四川省成都市610225 （Acs applied materials interfaces 2017 年1 月23 日） 唐孝生 教授 中文摘要：在过去几年里，全无机钙钛矿光电材料CsPbX3 (X = Cl, Br, or I)被广泛应用于各种光电器件。然而，由于现有工 艺的限制，使得CsPbX3 材料在柔性阻变存储器件中的研究还相对较少。在研究中，通过两步旋涂法，在75 °C 条件下成功 制备了全无机钙钛矿CsPbBr3 薄膜。其表征结果表明该材料在空气中有很好的稳定性。并且，将二步法得到的高结晶钙钛矿 薄膜作为阻变存储层，应用于Al/CsPbBr /PEDOT:PSS/ITO/PET 结构柔性非易失阻变存储器件中。阻变存储的操作特性和循 3 环性质证明了该方法制备的柔性阻变存储器件具有较好的可重复性和可靠的阻变存储性质。通过测试该非易失存储器件不同 弯曲角度和弯曲次数下的电流- 电压曲线，可以发现器件具有较好的电学和机械稳定性。与此同时，通过数据拟合和CsPbBr3 薄膜形成的导电细丝模型很好的解释了阻变存储效应产生原因。 英文摘要：All-inorganic perovskite CsPbX (X = Cl, Br, or I) is widely used in a variety of photoelectric devices. However, studies to 3 understand the flexible CsPbX electrical application are relatively scarce, mainly due to the limitations of the fabricating process. In 3 this study, all-inorganic perovskite CsPbBr films were successfully fabricated at 75 °C through a two-step method. The highly 3 crystallized films were employed as a resistive switching layer in the Al/CsPbBr /PEDOT:PSS/ITO/PET structure for flexible 3 nonvolatile memory application, which possess reproducible and reliable memory characteristics. Electrical reliability and mechanical stability of the nonvolatile device were further tested by the robust current−voltage curves under different bending