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光电传感技术讲义.ppt 41页

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Ling 光电传感技术 电磁波谱 辐射的定义 “辐射”的本质是原子中电子的能级跃迁.低能级电子受某种外界能量激发,可跃迁至高能级,当处于非稳态的受激电子落入较低能级时,就会以“辐射”的形式向外传播能量. 辐射源特性及其度量 光电效应 光电效应是指因光照而引起物体电学特性改变的现象。 电学特性变化是指光照射物体时,物体发射电子、电导率发生变化或产生光电动势等。 光电效应大致可归纳为两大类: 外光电效应——物质受到光照后向外发射电子的现象,这种效应多发生于金属和金属氧化物; 内光电效应——物质受到光照后所产生的光电子只在物质内部运动,而不会逸出物质外部的现象,这种效应多发生于半导体内。 内光电效应又可以分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应 光电导效应是指物体受光照射后,其内部产生光生载流子,使物体中载流子数显著增加而电阻减小的现象。 这种效应在大多数半导体和绝缘体中都存在。 而金属的电子能态与半导体和绝缘体不同,在光照下电阻没有改变,因此不产生光电导效应。 表征光电导体 最重要的参数为 光电导的光谱分布 光谱分布问题首先是光生载流子的激发问题,即某种波长的光能否激发出非平衡载流子以及效率如何的问题. 由本征激发产生的光电导称为本征光电导,由杂质激发产生的光电导称为杂质光电导. 典型的本征光电导的光谱分布曲线. 光生伏特效应 光生伏特效应是指,光照使不均匀半导体或均匀半导体中光电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象,是把光能变为电能的一种效应。 因此光照在半导体PN结或金属半导体接触面上时,在PN结或金属半导体接触的两侧会产生光生电动势。 光电发射效应 光敏物质吸收光子后,电子从基态被激发到高能态而脱离原子核的束缚,从而在外电场作用下参与导电,即发生内光电效应。 如果被激发的电子能逸出光敏物质的表面而在外电场作用下形成光电子流,这就是外光电效应或称光电发射效应。 在光电器件中,光电管、光电倍增管等光电器件,都是基于外光电效应理论的。 光电探测传感器件 利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件称为光电探测传感器件,有时也称光电探测传感器件。 根据对辐射的作用方式不同(或说工作机理的不同),光电探测传感器件(光电探测传感器件)可分为 光子探测传感器件 热电探测传感器件 光电探测传感器件的基本特性参数 1.响应度(或称为灵敏度) 响应度是用来衡量光电探测传感器件的光-电转换效能,定义为光电传感器输出电压 U0 或输出电流I0 与入射光功率 Pi 或通量 Ф )之比。即 光电探测传感器件的基本特性参数 光电探测传感器件的基本特性参数 光电探测传感器件的基本特性参数-4.响应时间 当入射光辐射到光电传感器后或入射光遮断后,光电传感器的输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需时间称为响应时间。 当用一个辐射脉冲照射光电传感器,如果这个脉冲的上升和下降时间很短(如方波),则光电传感器的输出由于器件的惰性而有延迟,把从10%上升到90%峰值处所需的时间称为传感器的上升时间(如右图), 而把从90%下降到10%处所需的时间称为下降时间. 光电探测传感器件的基本特性参数 5.频率响应 由于光电传感器信号的产生和消失存在着一个滞后过程,所以入射光辐射的频率对光电传感器的响应将会有较大的影响。 光电传感器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频率响应。 利用时间常数可得到光电传感器响应度与入射调制频率的关系,其表达式为: 噪声的分类 ①.热噪声:热噪声也称为约翰逊噪声,即载流子无规则的运动产生的噪声. 当温度高于绝对零度时,导体或半导体中每一电子都携带1.59×10-19C电量作随机运动,尽管其平均值为零,但瞬时电流扰动在导体两端会产生一个方均根电压,称为热噪声电压. 热噪声存在于任何电阻中,且与温度成正比,与频率无关. 噪声是各种频率分量的组成,就象白光是由各种波长的光组成一样,所以热噪声可称为白噪声. 噪声的分类 ②.散粒噪声 散粒噪声也称散弹噪声,即穿越势垒的载流子的随机涨落(统计起伏)所造成的噪声. 在每个时间间隔内,穿过势垒区的载流子数或从阴极到阳极的电子数都围绕一平均值上下起伏. 散粒噪声也是白噪声. 噪声的分类 ③.产生-复合噪声 载流子的产生率与复合率在某个时间间隔也会在平均值上下起伏.这种起伏也会导致载流子浓度的起伏,从而产生方均噪声电流. 半导体光电探测传感器件 1.光敏电阻

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