外延(111)钛酸钡薄膜的高密度存储特性分析.pdfVIP

摘 要 当今的社会发展很快，尤其是信息技术，而存储器是信息技术发展的必需品。存储 器主要分为易失性和非易失性两种类型。易失性存储器就是说存储的信息在断电的情况 下会丢失，相反地，非易失性存储器在断电的情况下能够一直保存我们需要的信息。目 前我们常用的闪存 （Flash ）是一种非易失性存储器。但由于MOS 管的特征尺寸是有一 定的极限的，而且闪存 （Flash ）的功耗是比较大的，尺寸过小还会影响数据保持性能。 闪存 （Flash ）的以上缺点使得闪存 （Flash ）的发展受到了限制，无法满足人们对存储 器的要求。电阻式存储器 （RRAM ）是一种新型的存储器，能够满足人们对存储器的需 求，需要我们努力地研究并使其得到应用。 为了使 RRAM 器件得到应用，我们还需要在以下几方面做出努力：（1）阻变机制 尚不明确，我们应尽量采用简单的器件结构来探究电阻开关机制；（2 ）实现高密度存储； （3 ）排除RRAM 器件的形成过程；（4 ）器件的保持性好等等。高密度存储是电阻式存 储器 （RRAM ）特别需要努力的一个方向。 我们对比较热门的钙钛矿材料钛酸钡 （BaTiO ）进行了一些研究。 3 首先我们通过脉冲激光沉积 （PLD ）技术在取向为 （111 ）的掺铌钛酸锶 （Nb:SrTiO (NSTO) ）衬底上制备了钛酸钡 （BaTiO ）薄膜。通过X 射线衍射仪的θ-2θ 3 3 扫描，确定了所制备的 BaTiO3 （BTO ）薄膜的晶体取向为 （111），接着又通过X 射线 衍射仪的 Φ 扫描明确了BaTiO3 薄膜在 （111）取向上的外延生长，最后通过X 射线衍 射仪的ω 扫描说明我们所制备的薄膜质量比较好。 之后用小型离子溅射仪并通过掩模板在BTO 薄膜上镀上Pt 上电极，于是就形成了 Pt/BTO/NSTO 的三明治结构。为了更好地进行电学测试，我们在NSTO 的背面焊了In 电极。通过电学测试确定了In 和NSTO 之间的接触是欧姆接触。 在确定好器件的结构之后，我们采用Keithley 2400 仪器对Pt/BTO/NSTO/In 器件进 行了电流- 电压(I-V)扫描测试。研究得出电阻开关不需要形成过程。在大电压下 （7V ） 的I-V 曲线中，我们在负电压区域大约-5V 的位置发现了负微分电阻的现象，这对于器 件的高密度存储是很有利的，同时我们也观察到了双极性电阻开关现象。而在小电压下 （4V ）的I-V 曲线呈现出整流特性。 I 对负阻现象进行探究。通过改变扫描最大负电压和扫描最大正电压，我们发现负阻 现象的出现只和正电压有关系。加正脉冲电压，只扫描负电压区域，也出现了负阻现象。 此外，还测试了限制电流对负阻现象的影响，发现限制电流对负阻现象也有影响。 对双极性电阻开关现象进行探究。因为研究的是存储器的电阻开关特性，所以我们 还探究了最大正电压、最大负电压以及限制电流等因素对电阻开关LRS 以及HRS 阻值 的影响。随着正电压的增大，LRS 逐渐减小最后达到饱和，HRS 保持不变；随着限制电 流的增大，LRS 也逐渐减小最后达到饱和，HRS 保持不变；随着最大负电压绝对值的增 大，HRS 逐渐增大最后达到饱和，LRS 保持不变。双极性电阻开关特性具有可调性。对 这些现象进行归纳总结，我们发现器件具有多级存储的潜能，这对器件的高密度存储也 是有利的。 对器件的保持性和循环性进行了测试。在保持性曲线中，我们发现 LRS 的曲线在 刚开始有衰减的趋势，根据相关文献报道，该器件的电阻开关特性与氧空位有关。通过 查文献及资料得知，BTO 和NSTO 都是n 型的并且它们之间的势垒特别低，可以看作 是欧姆接触；通过电学测试已确定In 和NSTO 之间是欧姆接触；而Pt 和BTO 之间因为 功函数不同形成了肖特基势垒。我们认为器件的电阻开关特性与Pt/BTO 界面有关。于 是我们用氧空位引起势垒高度/ 宽度的变化来解释前面的负阻现象以及可调双极性电阻 开关现