铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术与市场分析.pptVIP

銅銦鎵硒薄膜太陽能電池 技術與市場分析 費用評估 技轉費用 設備費用 廠房設立 人員薪資 研發材料費 技術支援 中科院 工研院:太陽光電中心 核能所 中山大學:曾百亨 逢甲大學:駱榮富 東華大學:翁明壽 為何要發展CIGS太陽能電池 台灣目前發展替代能源主要集中在太陽能、風力發電這兩區塊，而其中又以太陽能產業鏈較為完整，整體創造的營業額也較高。太陽能為清潔環保之能源，且來源不虞匱乏，故太陽能電池之開發極具長期發展潛力。目前台灣以矽基太陽能電池為主，上游的晶圓材料98%仰賴進口，但矽材料價位價高，造成單單矽晶片佔整個模組成本35~45之間，但由於台灣並非矽原材料及純化的主要生產國，所以成本完全掌握在國外矽材料供應商大廠MEMC、ESSA（European Solar Silicon Assn.）、Wacker、Hemlock（美國）、JSS（Joint Solar Silicon）、Tokuyama（日本）、REC（日本）、M. Setek（日本），但全球矽材料短缺的問題，卻也是現今台灣與其他世界各國廠商共同面臨的發展瓶頸，除了佔成本結構超過五成的原料缺乏問題有待克服，如何提高其能量轉換效率、降低矽晶圓厚度，亦是技術研發主軸，故如能朝材料成本較低廉以及能大面積生產的薄膜太陽能電池發展，台灣必能在太陽能產業站穩腳步。 國內眾多廠商近一兩年內一窩蜂的進入對於投入技術門檻較低的矽基太陽能電池Cell端，例如：昱晶（LED產業億光轉投資）、聯相（原為晶能半導體廠聯電產業億光轉投資）、新日光能源（力晶轉投資）、茂矽太陽能事業部、旺能（台達電），在些公司中除了投入較早的茂迪及益通充分掌握長期料源的供應合約，且持續擴充產能掌握產業成長趨勢，而那些後進廠商對於料源掌握的把握度低，在料源供應吃緊的狀況下（包括solar wafer 廠商），生存及成長空間實在有限。 由於矽材料的成本以及整體經濟效益的考量下並非極佳，為了生產矽晶太陽能電池，可能耗掉更多的能源與地球資源，如去除目前高油價、各國政府的補助之誘因，是否矽晶太陽能電池能依然穩固成長，可能是一大問題，故目前德國、瑞士、日本、美國皆有著名研究機構與公司正在積極發展薄膜太陽能電池，薄膜太陽電池屬第二代太陽電池，具有可撓、易於大面積化、製程簡單且低耗能、低成本等優勢，而轉化效率銅銦鎵二硒太陽光電池（CIGS：Copper Indium Gallium Diselenide Solar Cells）目前在研究單位已能達到13~19.4%的效能。 台灣的發展利基 整合已具基礎的各研究單位作個帶頭作用，必能進一步整合國內學術界、研究單位、工業界發揮團隊分工最大效能，在全球可撓曲式薄膜太陽能產業佔一席之地。如國內半導體及光電硬體設備製造商能利用工研院及學術單位做可撓曲式CIGS太陽能電池製程技術前期文獻、專利、產業訊息資料的分析，必能減少不必要的錯誤嘗試階段，且能整合相關資源做充足的研發，如此不管台灣在發展Roll to Roll鍍膜設備、撓曲式基材或CIGS太陽能電池產品上，皆能達到設備、製程技術、專利本土化及產業自主的能力，並配合我國在半導體與光電產業的量產經驗，如此必能快速進入世界水準。 太陽能電池轉化效能 Thin Film CIGS Solar Cells Efficiencies Polycrystalline Thin Film PV Modules CIGS Device Structure CIGS特性 Cu In Se2〈CIS〉係屬直接遷移性半導體，尤其吸光係數極大，適用於薄膜電池材料。Cu In Se2的禁止帶幅為1eV，小於最適用於太陽電池的1.4-1.5V，因此與Eg=1.6eV的Cu Ga Se2較高帶幅材料形成Cu(In Ga)Se2則所謂的CIGS混晶材料以改善此一缺點。 隨著光電池中銦鎵含量高低，光吸收範圍也會有所不同（約在1.02eV～1.68eV之間） 各層功能性 Substrate : Glass , Metal foil ,Plastic Sheet 當底材支撐 鈉玻璃 : 使用鈉玻璃在成長CuInSe2,當基材加溫到400度以上,接近玻璃的軟化點,會促使鈉離子的擴散,影響CuInSe2晶粒成長,增強(112)方向的結晶性,增進薄膜的品質,增加元件的效率 Back Contact :Mo 鉬金屬與CuInSe2容易形成歐姆接觸,使得接觸電阻小,減少電流形成後傳輸的耗損 鉬具有高的光反射率,使得太陽光能反覆的在CuInSe2主吸收層被吸收 CuInSe2成長在鉬薄膜能形成平整的表面,相對於成長在玻璃上,可降低表面粗糙度 Absorber : CIGS 有效的吸收大部分的太陽光 p 型CuInSe2 的陽光吸收層