用单片教材清洗设备进行晶圆背面清洗_英文_.pdfVIP

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2019-07-18 发布于湖北
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用单片教材清洗设备进行晶圆背面清洗_英文_.pdf

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· 前道技术· 电子工业专用设备 EPE IC 用单片清洗设备进行晶圆背面清洗摘要:晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入技术节点之后成品率 100nm 的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由公司制造的系统就是这样一种单片清洗设备,它具有 Akrion Mach2HP 清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅( )粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现 SiN 3 4 有 SiN粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含 SiN粒子的晶片是通过在裸芯片 3 4 3 4 上沉积SiN粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的SiN粒子在晶片清洗时又分解成更小的 3 4 3 4 粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此, 在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。关键词:晶圆清洗;背面清洗;氮化硅( )粒子;粒子去除效率;清洗设备 SiN 3 4 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN305.97 A 1004-4507200607-0014-06 ( ) Siliconnitride (Si N 3 4 N N Si 3 4 3 4 ingSi N 3 4 14 (总第期) 138 Jul. 2006 EPE 电子工业专用设备 · 前道技术· IC EquipmentforElectronicProductsManufacturing ( ) SiN 3 4 movalEfficiency;CleaningTool odsofdepositingSi N 1 INTRODUCTION 3 4