FIB 和 DulBeam的原理和应用.ppt

FEI Confidential Copyright ? 2006 FIB 和 DualBeam 的原理和应用 * Focused Ion Beam 6 nm spot size at 1pA 500 V-30 kV Ga+ 1pA to 20 nA 什么是FIB ，FIB能做些什么? FIB 是聚焦离子束显微镜 当离子束打到样品表面上的时候，会产生一些二次离子信号，二次电子信号等，FIB通过对这些信号进行采集和处理形成显微图像。 FIB 是一台加工的机器. 这种加工是定位加工，镓离子 (Ga+) 束打到样品的表面可以使样品上的原子被轰击去除，从而达到切割加工的作用。 FIB 可以进行材料沉积和化学增强刻蚀 通过注入特殊的化学气体，离子束可以沉积一些材料形成亚微米的结构，气体化学系统结合离子束可以形成化学刻蚀来进行选择性切割。 * 电子与 Ga+ 离子比较 离子是带正电的原子核，其质量和动量分配权大于电子 (360 倍于电子)，这使得FIB具有材料切割，成像和微观沉积的功能 同样束流能量下其他参数有很大差别： 质量: Ga+ Ion = 128,000 倍于电子 速度: Ga+ Ion = 1/360 倍于电子 动量: Ga+ Ion = 360 倍于电子 * FIB 能做而SEM 不能做的…… 去除/沉积材料 显示材料衬度的二次离子图像 通道衬度 进行原位样品制备 同时对样品进行制备和观察 离子束与样品的相互作用区比电子束小，一般是5 nm 到40 nm，在 30 kV 的能量下。 * 离子镜筒与电子镜筒的差别 和电子镜筒相比，离子镜筒具有自清洁的功能，几乎可以自动清除各种颗粒和污染，终生几乎不需要什么清理，而电子束则不然。 镓离子源是冷源，不需要一直加热，不用时可以关掉。 离子镜筒的透镜全是静电场透镜，几乎不产生热量。 离子镜筒的光阑易损，需要经常更换。 * 镓离子源和离子镜筒 镓离子源形成的TYLOR锥 电荷被拉出 * FIB 镜筒与SEM SFEG对比 双束：FIB做加工，沉积，SEM观察，缺一不可 Manipulators Gas Injection SEM FIB Detectors Sample Gallium FIB SEM Electrons * * * * * Ion beam Acc. Voltage is Positive (HTSU/P)Electron beam Acc. Voltage is Negative (HTSU/N) The I - column is somewhat self cleaning and is less sensitive to dust contamination (Ions: high mass) as the E - column * * FEI Sidewinder and the Magnum both use double deflection PRE LENS scanning. Double deflection gets over most of the distortion problems because the beam still passes through the lens centre even when it is deflected. FEI Confidential Copyright ? 2006 * * * * * Ion beam Acc. Voltage is Positive (HTSU/P)Electron beam Acc. Voltage is Negative (HTSU/N) The I - column is somewhat self cleaning and is less sensitive to dust contamination (Ions: high mass) as the E - column * * FEI Sidewinder and the Magnum both use double deflection PRE LENS scanning. Double deflection gets over most of the distortion problems because the beam still passes through the lens centre even when it is deflected.