高质量单层二硫化钼薄膜的研究进展魏争王琴琴郭玉拓-物理学报.pdf

高质量单层二硫化钼薄膜的研究进展 魏争 王琴琴 郭玉拓 李佳蔚 时东霞 张广宇 Researchprogressofhigh-qualitymonolayerMoS films WeiZheng WangQin-Qin GuoYu-Tuo LiJia-Wei ShiDong-Xia ZhangGuang-Yu 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica,,128103(2018) DOI: 10.7498/aps.67 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I12 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 图形化蓝宝石衬底上有序微米半球形SnO 的生长、结构和光学特性研究 Growth,structuralandopticalpropertiesoforderlySnO microhemispheresonpatternedsapphiresub- strates 物理学报.2017,66(3):038101 /10.7498/aps.66.038101 不同Sb含量p-SnO 薄膜的制备和特性 FabricationsofdifferentSbcontentp-SnO thinfilms 物理学报.2015,64(24):248101 /10.7498/aps.64.248101 硅基锗薄膜选区外延生长研究 SelectiveareagrowthofGefilmonSi 物理学报.2015,64(12):128102 /10.7498/aps.64.128102 衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响 InfluencesofthesubstratepositiononthemorphologyandcharacterizationofphosphorusdopedZnO nanomaterial 物理学报.2014,63(16):168101 /10.7498/aps.63.168101 碳纳米片-碳纳米管复合材料的一步合成及其发射性质研究 One-stepsynthesisofacarbonnanosheet-scarbonnanotubescompositeanditsfieldemissionproperties 物理学报.2013,62(3):038101 /10.7498/aps.62.038101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 12 (2018) 128103 高质量单层二硫化钼薄膜的研究进展 魏争 王琴琴 郭玉拓 李佳蔚 时东霞 张广宇 1) (中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家研究中心, 中国科学院纳米物理与器件重点实验室, 北京 100190) 2)(中国科学院大学物理科学学院, 北京 100049) 3)(纳米材料与器件物理北京市重点实验室, 北京 100190) 4)(量子物质科学协同创新中心, 北京 100190) ( 2018 年4 月18 日收到; 2018 年5 月12 日收到修改稿) 作为一种新型的二维半导体材料, 单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性, 在电子学与光电子学等众多领 域具有潜在的应用价值. 本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄膜的研究所取得的进展, 具体包括: 在二硫化钼薄膜的制备方面, 通过氧辅助化学气相沉积方法, 实现了大尺寸单层二硫化钼单晶的 可控生长和晶圆级单层二硫化钼薄膜的高定向外延生长; 在二硫化钼