稀土发光材料中的量子剪裁.ppt

Eu, Dy 离子的价态 XANES谱利用北京同步辐射实验室（BSRF）XAFS实验站测得 荧光模式，室温下测量 Eu和Dy的L3吸收边 稀土的L3和L2边白线峰(white line)来源于其空的5d态，它的位置常常可以用来测量稀土离子的价态 Fig .1 Eu-L3 edge XANES of Sr2MgSi2O7:Eu,Dy (SB) and Ca2MgSi2O7:Eu,Dy (SY) and Eu2O3. Dot line: experiment; Solid lines: fitting results; Dash line: component subspectra . Fig. 2 Dy-L3 edge XANES of Sr2MgSi2O7:Eu,Dy (SB) and Ca2MgSi2O7:Eu,Dy (SY) and Dy2O3. Eu, Dy 离子的价态 Eu： Eu2+ , Eu3+ Dy: Dy3+ 无 Eu+ 和Dy4＋ 存在 在室温下，“Eu2+ + h”持续而有效的释放空穴，这些空穴与电子陷阱（Dy3+或其他结构缺陷）释放出的电子复合并放出能量，这些能量又以交叉弛豫的方式传递给Eu2+，使其激发到5d态，最终得到来自Eu2+：5d-4f跃迁的长余辉发射。 关于长余辉机理 结 论： 在Sr2MgSi2O7:Eu3+, Dy3+的发射中，利用同步辐射不仅观察到Eu2+的发射，还观察到来自Dy3+的发射。 Eu2+ 不仅是发光中心，也是陷阱中心；相反， Dy3+不仅是陷阱中心，同时又是发光中心。 纳米ZnO紫外激光材料的SR研究 Zinc Oxide (ZnO) is a promising wide bandgap semiconductor material 1997年5月Science , “Will UV lasers Beat the Blues?” a great work 1999年10月，美国Dayton， 首届ZnO专题国际研讨会 激子束缚能高达60 meV , 比室温热离化能26 meV 大很多。因此,与ZnSe (22 meV) , ZnS (40meV) 和GaN (25 meV) 相比, ZnO 是一种合适的用于室温或更高温度下的紫外光发射材料。具有大的束缚能的激子更易在室温下实现高效率的激光发射。另一方面,ZnO 比GaN 的生长温度几乎低一倍,这就在很大程度上避免了因高温生长而导致的膜与衬底间的原子互扩散 Several special structure of nano ZnO: (a)nanobelt, (b)tetrapod-like crystals, (c) nanowires and (d) nanorods Rf magnetron sputtering Molecular-beam epitaxy Pulsed-laser deposition Chemical-vapor deposition Sol-gel ZnO film GROWTH 为了减少ZnO薄膜中的应力和位错密度，必须选用晶格失配小的衬底： 蓝宝石(Sapphire), Si, SiC, GaAs, ScAlMgO4等 Two different models of laser (a) order system the light bounces back and forth between two mirrors that form a cavity. After several passes through the amplifying material in the cavity, the gain amplification can be large enough to produce laser light. (b) random system the cavity is absent but multiple scattering between particles in the disordered material keeps the light trapped long enough for the amplification to become efficient, and for laser light to emerge in random directions. 高质量的ZnO 单晶膜及ZnO 基单晶膜 六角柱形峰巢状纳米微晶结构 ZnO膜 颗粒微晶结构ZnO粉末 其它微晶结构（包括金字塔状和锥须状结构等) 和ZnO 基三元金属化合物 基于ZnO的紫外受激发射的研究： 共性