矿大电工课件第14章半导体二极管、三极管和场效应管(1)分解.pptVIP

IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA 14.4.4 三极管的主要参数 14. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反相击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! ? = IC IB 60μA 0 20μA 14.5 2.3 在输出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 14.5mA 40μA = 37.5 ? = IC IB = 2.3–14.5(mA) 60 –40(μA) = 40 设UCE=6V, IB由40μA加为60μA 。 IC / mA UCE /V IB =40μA 6 0 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 第14章14.5 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO SiO2 结构示意图 14.5.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 14.5 绝缘栅场效应管 衬底引线B N+ N+ D B S G 符号 14. 结构和符号 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V 第14章14.5 ID /mA 结构示意图 14.5.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 漏极D 栅极G 衬底引线B 耗尽层 14. 结构特点和工作原理 N+ N+ 正离子 N型沟道 SiO2 D B S G 符号 制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。 第14章14.5 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 耗尽型NMOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V 第14章14.5 ID /mA ID /mA N型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 PMOS管结构示意图 P沟道 14.5.3 P沟道绝缘栅场效应管（PMOS） PMOS管与NMOS管 互为对偶关系，使用 时UGS 、UDS的极性 也与NMOS管相反。 P+ P+ 第14章14.5 UGS UDS ID * 第14章 半导体二极管、三极管和场效应管 14.1 PN结 14.2 半导体二极管 14.3 稳压管 14.4 半导体三极管 14.5 绝缘栅场效应管 PN结----单向导电性 半导体二极管—单向开关 半导体三极管—电流控制开关 绝缘栅场效应管—电压控制开关 分立器件： 14.1 PN结的形成与特性 纯净半导体 掺杂 P型半导体 PN结 N型半导体 纯净的没有结构缺陷的半导体单晶 ： 本征半导体。 本征半导体的共价键结构 硅原子 价电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 14.1 PN结的形成与特性 14.14.1 本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 14.14.2 P半导体和N型半导体 1 . N 型半导体 在硅或锗的晶体 中 掺入少量的 五价元 素,如磷, 则形成N型半导 体。 磷原子 +4 +5 多余价电子 自由电子 正离子 N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 2. P型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素,如硼,则形成P 型 半导体。 +4 +4 硼原子 填补空位 +3 负离子 P 型半导体结构