集成电路工艺之离子注入.pptVIP

Chap 4 离子注入;离子注入;离子注入应用;使带电粒子偏转，分出中性粒子流;离子源是产生离子的部件。将被注入物质的气体注入离子源，在其中被电离形成正离子，经吸极吸出，由初聚焦系统，聚成离子束，射向磁分析器。 吸极是一种直接引出离子束的方法，即用一负电压（几伏到几十千伏）把正离子吸出来。 产生离子的方法有很多，目前常用的利用气体放电产生等离子体。;从离子源吸出的离子束中，包括多种离子。如对BCl3气体源，一般包括H+、B+、Cl+、O+、C+等。 在磁分析器中，利用不同荷质比的离子在磁场中的运动轨迹不同，可以将离子分离，并选出所需要的一种杂质离子。 被选离子通过可变狭缝，进入加速管。;离子源通过加热分解气体源如BF3或AsH3成为带正电离子（B＋或As＋）。 加上约40KeV左右的负电压，引导这些带正电离子移出离子源腔体并进入磁分析器。 选择磁分析器的磁场，使只有质量/电荷比符合要求的离子得以穿过而不被过滤掉。 被选出来的离子接着进入加速管，在管内它们被电场加速到高能状态。; 被掺杂的材料称为靶。由加速管出来的离子先由静电聚焦透镜进行聚焦，再进行x、y两个方向的扫描，然后通过偏转系统注入到靶上。 扫描目的：把离子均匀注入到靶上。 偏转目的：使束流传输过程中产生的中性离子不能到达靶上。 注入机内的压力维持低于10－4Pa以下，以使气体分子散射降至最低。;离子注入的优缺点;离子注入的优缺点;4.1 核碰撞和电子碰撞;核碰撞和电子碰撞;核碰撞和电子碰撞;核碰撞和电子碰撞;核碰撞和电子碰撞; 低能量时，核阻止本领随能量的增加而线性增加，Sn(E)会在某一中等能量时达到最大值。 高能量时，由于高速粒子没有足够的时间和靶原子进行有效的能量交换，所以Sn(E)变小。;电子阻止本领;核碰撞和电子碰撞;4.2 注入离子在无定形靶中的分布;注入离子在无定形靶中的分布;注入离子在无定形靶中的分布;高斯分布只在峰值附近与实际分布符合较好。 轻离子/重离子入射对高斯分布的影响 实践中，用高斯分布快速估算注入离子在靶材料中的分布。;随能量增加，投影射程增加 能量一定时，轻离子比重离子的射程深。; 以上讨论的是无定形靶的情形。 无定形材料中原子排列无序，靶对入射离子的阻止作用是各向同性的 一定能量的离子沿不同方向射入靶中将会得到相同的平均射程。 实际的硅片——单晶 在单晶靶中，原子是按一定规律周期地重复排列，而且晶格具有一定的对称性。 靶对入射离子的阻止作用将不是各向同性的，而与晶体取向有关。;**离子注入的沟道效应;**离子注入的沟道效应;射程分布与注入方向的关系;怎么解决？？？;怎么解决？？？;浅结的形成;注入后发生了什么………;注入损伤;轻离子注入;重离子注入;非晶层的形成;注入后需要做什么……;注入后需要做什么……;注入后需要做什么……;硼的退火特性;电激活比例;虚线表示的是注入损伤区还没有变成非晶区的退火特性（剂量从3×1012/cm2增加到3×1014/cm2） 电激活比例随温度上升而增加。 剂量升高时，退火温度相应升高，才能消除更为复杂的无规则损伤。 实线表示的是非晶区的退火特性（剂量大于1015/cm2），退火温度降低为600 ℃左右 非晶层的退火机理是与固相外延再生长过程相联系 在再生长过程中，Ⅴ族原子实际上与硅原子难以区分，它们在再结晶的过程当中，作为替位原子被结合在晶格位置上。所以在相对很低的温度下，杂质可被完全激活。;电激活比例;热退火过程中的扩散效应;热退火过程中的扩散效应;热退火过程中的扩散效应;快速热退火（RTA）;快速热退火（RTA）;快速热退火（RTA）;作业：;2. 离子注入掺杂纯度高，是因为（ ）. A.杂质源的纯度高 B.注入离子是通过质量分析器选出来的 3. 减弱或消除沟道现象的措施有：（ ） 入射方向偏离沟道轴向 入射方向平行沟道轴向 样品表面淀积一层二氧化硅 样品表面淀积一层氮化硅 A．①③ B. ②③ C. ①③④ D. ②③④;4. 离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性，主要影响有（ ） PN结反向漏电流增大 载流子迁移率下降 少子寿命下降 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能 A. ②③ B. ①②④ C. ②③④ D. ①②③④ 5. 入射离子的两种能量损失模型为：_____碰撞和____碰撞。;6. 假设B以100KeV、每平方厘米5×1014个离子的剂量注入进入200mm的硅晶片，试计算峰值浓度。如果注入在1min内完成，求离子束电流。 （已知： B以100KeV的能量注入硅中时，投影射程为 0.31um，投影偏差为0.07um） 7、试计算在中性环境中，950℃、30min