照明级LED芯片技术的发展.docVIP

从2006年8月，科技部启动“十一五”863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目以来，我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系。本栏目将陆续介绍863项目的进展，以促进科技成果产业化。 　　半导体照明被誉为第三代照明技术并在世界范围内引起广泛的关注，其核心技术和竞争领域主要是在整个产业链的上游，即外延和芯片。近年来，半导体照明功率型LED芯片技术的研究和开发得到长足的发展，半导体照明也将在未来几年内得到广泛的应用。在所有可实现半导体照明的相关材料中，氮化镓（GaN）基材料是最重要的，也是最有希望真正意义上实现半导体照明的材料。GaN基发光二极管（Light-Emitting Diode, LED）材料与器件是当前研究开发和商业化的重点与热点。 　　国外半导体照明芯片技术的发展现状 　　目前，Cree、Nichia、Lumileds、Osram等少数几家国外公司是国际上主流的照明级LED芯片及器件制造商，他们具有各自独特的外延和芯片技术路线，各家所生产的芯片产品封装白光器件的发光效率普遍超过100lm/W（见表1）。下面简要地介绍当前各家公司的工艺技术路线和产品现状。 　　美国Cree公司是目前世界上采用SiC作为衬底材料制造蓝光发光二极管用外延片和芯片的专业公司之一，其在不断改善外延品质及提高内量子效率的同时，采用了薄膜（Thin-film）芯片技术大幅度提升产品亮度，薄膜芯片技术即利用衬底转移技术将发光层倒装在Si衬底上，薄膜芯片技术可以有效地解决芯片的散热问题和提高取光效率。Cree公司的功率LED芯片产品EZ系列采用薄膜芯片技术已经达到业界领先的光效水平，据2009年底的报道显示，Cree冷白光LED器件研发水平已经达到186lm/W，这是功率型白光LED有报道以来的最好成绩。日本Nichia公司是世界上最早的半导体白光生产厂商，技术水平始终处于国际领先的地位。在蓝光芯片的技术路线上，Nichia采用图形化蓝宝石衬底外延生长技术结合ITO透明导电层芯片工艺，产品性能表现优越，特别是小功率芯片，最新的报道甚至达到245lm/W的性能指标。Nichia的功率型芯片也是基于正装结构，2008年Nichia公司宣布其功率LED产品光效达到 145lm/W，芯片规格为1mm×1mm。 德国Osram公司早期的产品是以SiC作为衬底材料，相继推出了ATON和NOTA系列产品。近期，Osram的产品和研发方向也是基于薄膜芯片技术，其最新研发的ThinGaN TOPLED采用蓝宝石作为衬底材料，运用键合、激光剥离、表面微结构化和使用全反射镜等技术途径，芯片出光效率达到75%。据最新的报道，目前，Osram的功率型白光LED光效已经达到136lm/W。 　　美国Philips Lumileds公司的功率型氮化镓蓝光LED芯片采用蓝宝石作为外延衬底材料，芯片结构上则一直沿用倒装结构。随着薄膜技术的发展，Lumileds创造性地整合了倒装技术和薄膜技术，推出了全新的薄膜倒装芯片（Thin-film Flip-chip,TFFC）技术，集成芯片和封装工艺，最大限度降低热阻并提高取光效率。目前，Lumileds功率型白光的研发水平已经突破140lm/W。 　　美国SemiLEDs公司是继Osram和Cree之后采用衬底转移技术商品化生产薄膜GaN垂直结构LED的厂商。他们推出了新型的金属基板垂直电流激发式发光二极管（Metal VerticalPhoton Light Emitting Diodes，MvpLEDTM）产品，其封装成白光器件的发光效率目前可以达到120lm/W。 　　韩国和中国台湾地区目前也在积极发展照明级功率型高亮度LED芯片技术，这些地区的LED产业技术正快速赶上世界领先水平，且已具备较高的水准。主要芯片供应商有：Epistar（晶元）、EpiValley、Forepi（璨圆）、Huga（广镓）等。中国台湾、韩国的产品以中高档为主，所生产的功率型LED芯片封装成白光器件的发光效率一般在80～100lm/W，其中台湾晶元光电的技术水平相对领先，其研发水平已达到120lm/W。 　　国内半导体照明芯片技术的发展现状 　　国内半导体照明芯片技术的发展相对国外起步较晚，技术水平离国际领先业者还存在一定距离。不过，最近几年，在政府有关部门的引导和支持下，国内照明级LED芯片技术的研究、开发以及产业化工作取得了长足进步。特别是在“十五”国家科技攻关计划“半导体照明产业化技术开发”项目和“十一五”863计划半导体照明工程项目的引导下，国内各大LED芯片制造商以及研究所依靠各自