RCD吸收电路的设计(含计算).docVIP

反激式开关电源 RCD吸收电路的设计 对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做几个假设， 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。 有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对MOS管的VD进行分段： ⅰ，输入的直流电压VDC； ⅱ，次级反射初级的VOR； ⅲ，主MOS管VD余量VDS； ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。 二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压VDC。 在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。 　　　VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的VOR。 VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）． VOR＝(VF　+Vo)*Np/Ns ⅲ，主MOS管VD的余量VDS． VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC