国内外碳化硅电力电子进展讲义.ppt

* 续流二极管对IGBT模块的影响 IGBT的开通特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。 减少了IGBT电流尖峰，减少了EMC。 测试条件： VCC=400V;IC=35A;Rg=27?;Tj=125℃.CH1:IC=15A/div;CH2:VCC=100V/div;timebase=200ns/div ——IGBT开通 * 续流二极管对IGBT模块的影响 ——IGBT开通 参数 单位 Si-diode SiC SBD 条件 VCC=400V;IC=35A;VGE=15V;Rg=27?,感性负载Tj=125℃ td(on) ns 70 70 tr ns 50 50 E(on) mJ 1.0 0.7 Ipeak A 84 60 IGBT 开通特性比较 * 续流二极管对IGBT模块的影响 ——IGBT开通 在不同电流下，和两种二极管配对的IGBT开通能耗比较。 * 续流二极管对IGBT模块的影响 IGBT的关断特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。基本没有差别。 测试条件： VCC=400V;IC=35A;Rg=27?;Tj=125℃。 CH1:IC=10A/div;CH2:VCC=100V/div;timebase=200ns/div ——IGBT关断 * 续流二极管对IGBT模块的影响 二极管的反向恢复特性：左图硅二极管，右图碳化硅二极管。 测试条件： VCC=400V;IF=-35A;Rg=27?;Tj=125℃ CH1:IC=15A/div;CH2:VCC=200V/div;timebase=100ns/div ——二极管反向恢复 * 续流二极管对IGBT模块的影响 35A下，二极管反向恢复特性比较。另外，碳化硅二极管的软度 比硅二极管高，所以电压尖峰从560V下降到440V，过电压从160V （40%过电压）下降为40V（10%过电压），提高了模块的可靠性。 参数 单位 Si-diode SiC-JBS 减小比例 条件 VCC=400V;IF=35A; Rg=27?,感性负载Tj=125℃ Irr A 40 14 65％ trr ns 126 62 51％ Qrr uC 3.3 0.3 90％ Erec mJ 0.7 0.07 90% ——二极管反向恢复 * 续流二极管对IGBT模块的影响 在不同电流下，两种二极管反向恢复能耗比较。 ——二极管反向恢复 * 续流二极管对IGBT模块的影响 35A电流下，两种600V IGBT模块动态能耗比较。 和国外产品报道相当（参见Cree公司产品介绍）。 ——模块动态总能耗 * 需要解决的问题 两种600V 二极管正向特性比较。SiC芯片面积 受到目前工艺所限，因此SiC二极管正向压降较大。 * 国内的碳化硅现状 国内对碳化硅很熟悉：各个大学普遍都有国外公司送的碳化硅器件样品。国内有电源厂家用碳化硅肖特基二极管。 * 碳化硅产业链健全，核心技术落后 国内产业链比较健全，基础技术（单晶，外延和器件）离国外有很大距离。 单晶：天科合达，46所，神舟，硅酸盐所 外延：中科院，西电，13所，55所 器件：西电，13所，55所，南车 封装： 13所，55所，南车 电路应用：清华，浙大，南航，海军工程大学 用户：国网，南车 （笔者信息有限，如有遗漏，特此致歉） * 未受到重视 研究处于小规模和分散状态。至今还没有上马针对碳化硅电力电子的国家科研项目。 今年海军工程大学和国家电网先后组织过碳化硅研讨会，碳化硅逐渐扩大影响。 根据国外的发展速度来看，我们现在如不下决心投入，会失去机会。 * 国内发展建议： （1）尽快提高二极管器件的性能，形成小批量生产和送样能力。（2）尽快实现开关器件和高压器件的突破。要赶在国外6英寸大规模生产之前（2~3年）完成技术积累。 国外是通过国家项目支持，然后快速产业化。我们需要国家投入，需要产学研的合作，需要材料、器件和封装产业链的合作。 * Thank you! PN二极管600C，JFET 400C，VDMOS 200C。 * 国内外碳化硅电力电子进展 * 一、碳化硅的市场 二、国外技术进展 三、我国发展状况 四、发展建议 内容提要 * 碳化硅相比于硅的优势 与硅相比，碳化硅（4H-SiC）具有： 10倍以上的临界电场强度 3倍禁带宽度 3倍的热导率 工作于更高的温度和辐射环境 更高的系统效率（损耗降低1/2） 芯片面积1/5 工作频率高， 10kV器件@20kHz 单个器件更高的电压（20kV以上） 可减小体积和重量：减少或免除水冷，免除笨重的50Hz变压器。 * 600V-1200V 的碳化硅器件 节能，高频的SiC二极管，目前用于高效电源（包括LED TV的电源）、太阳能逆变器。