SMT的发展_——技术思路与发展趋势.ppt

四、无铅技术(Lead free) Sn-Pb焊料 Pb的毒害 无铅的进程 Sn-Cu Sn-Ag Sｎ Ag Cu Bi Zn High strength Low melting point Lower melting point Low cost Sn-Ag-Cu Sn-Zn-Bi Sn-Ag-Bi (-Cu) Sn-Bi Mp 1083℃ Mp 420℃ Mp 961℃ Mp 271℃ Mp 232℃ Sn-Cu Sn-Zn Combinations of element for lead-free ２３０ ２２０ ２１０ １８３ Ｓｎ－Ｐｂ　　１８３゜Ｃ Ｓｎ－Ｃｕ　　２２７゜Ｃ Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ　　２１７゜Ｃ Ｓｎ－Ｚｎ　　１９９゜Ｃ Melting point ゜Ｃ Melting temperature of alloy Ｓｎ－Ag　　２２1゜Ｃ Ｓｎ－Ａｇ－Ｂｉ－Ｉｎ　２０８゜Ｃ 无铅焊料的难题1 熔点（焊接温度） 材料 设备 工艺 Sn/Pb NO Pb WAVE SOLDERING WITH SN100C  焊接性能 表面张力 润湿性能 时间 无铅焊料的难题 2 稳定性 Sn－Zn 无铅焊料的难题3 无铅焊料的难题4 成本 无铅的进程 别无选择 合金配方 选择余地有限 添加剂、焊剂 工艺探索、规范 技术发展无止境 求实创新是前程 谢谢大家 * Dip---sop—llp展示 * 价 * SMT的发展 ——技术思路与发展趋势 应用电子技术专业专题讲座 封装技术 组装工艺 SMT设备 无铅技术 一、电子封装技术的发展 电子封装技术是微型化的基础 IC封装的发展 无源元件的微型化进程 系统级封装的趋向 IC封装的演变 IC发展趋势 集成度 硅片面积 I/O数目 增加芯片/封装比例 阵列封装 节距 微型化 3D封装 系统级封装 ） 边缘引线 底部引线 （阵列/非阵列） SOIC(SOP)双列引线 QFP四周引线 PGA针栅阵列 BGA球栅阵列 CGA柱栅阵列 底部引线 QFN COB板上芯片 TAB载带自动连接 1、IC(电子)封装发展 外特性 硅片 （裸芯片） 封装前缀 主要封装材料 陶瓷 C 窄间距 T 塑料 P 微型 μ 硅片直接安装在PCB上 SOC SIP 边缘引脚 ·形状 L 针、球、柱 J ·引脚数目 SOP 40 BGA100-2500 QFP 250 ·pith 1.27—0.3 1.27—0.5 面积（相同引线数） 1 0.25 底部引线 有利散热的微型封装QFN (Quad flat No-lead )  MLF(MicroLead Frame)  LLP（Leadless Leadframe package ） 电子封装技术发展FC（flip chip）  芯片连接技术 进一步微型化 芯片 芯片 凸点 凸点(bump) FC-BGA 电子封装技术发展——CSP 芯片/封装面积比例 DIP 1～5％ CSP 75～80％ 同数量引线不同封装所占面积和重量 Highest Thinnest Largest die and thickest bondline Narrowest 电子封装技术发展——WLP(WLCSP) 芯片/封装比例达到 100％ Wafer Level Package 裸芯片 焊球 CSP 80％ 电子封装技术发展——2D MCM （multichip module)多芯片模块封装 电子封装技术发展——MCM 3D封装（芯片堆叠） 2、无源元件——微型化发展 1005（0402）——0603（0201）——0402（01005） 小型化的极限 集成无源元件 SMC/PCB复合技术 微型化 SOC/SIP PCB-SMD复合化 在多层板中预埋RLC元件，实现高密度组件。 IC技术