存贮器与接口.ppt

存储器信息的断电保护 采用虚线框内的D3及R1，则电池可改为充电电池。这样在正常供电时，由电源通过D3及R1对电池充电，而在断电时，由电池供电，以保证长时间使用 本章小结 常用存贮器的性能 微处理器与存贮器的连接 存贮器信息的断电保护 随机存取存储器 SRAM 能够重复编程 电檫除，在写入的同时檫除 字节与页（64字节）的写入方式 写入包括了数据锁存与编程 编程时间10mS 可在系统中编程 随机存取存储器 SRAM 6264 8K X 8字节 存储器 随机存取存储器 6264的工作方式 随机存取存储器 静态 RAM用于存放数据或作为程序运行时工作单元，因此在使用时不仅需利用它的读出方式，还需用到它的写入方式 CS信号为片选信号 -OE为存储器读出控制信号 -WR为存储器写入控制信号 随机存取存储器 随机存取存储器 FRAM 信息在掉电后不会丢失 读写时序与SRAM相同 随机存取存储器 FRAM F1608 8K X 8位 存储器 随机存取存储器 F1608的工作方式 随机存取存储器 铁电存储器与静态RAM时序的差异是: FRAM的片选-CE信号具有双重作用，第一是锁存写入数据的地址，第二是在-CE为高电平时产生必要的内存预充电时间。因此在设计接口时，不能像静态RAM一样将-CE引脚接地。 随机存取存储器 随机存取存储器 对于大容量的存储器采用动态RAM较经济，其功耗小于同样容量的静态RAM，存取速度也较快。 但它需要刷新电路，每隔一定的间隔需对其刷新，使各个单元的信息得到保持。 和静态RAM不同的是，动态RAM除了读写操作外，还需定时刷新。 随机存取存储器 IS41C16256 262144 X 16位 高性能CMOS 同步随机存储器 随机存取存储器 行与列地址的输入形式 数据的刷新 本章知识点 常用存贮器* 微处理器与存贮器的连接* 存储器信息的断电保护** 微处理器与存贮器的连接 EPROM 2764、27C256 E2PROM 28C256 Flash Memory 29C256 SRAM6264 FRAM1608 微处理器与存贮器的连接 微处理器与存贮器的连接 数据信号与数据总线的连接 地址信号的译码 读控制信号 数据、程序存储器统一编址， 数据读信号 数据程序存储器分别编址， 数据读、程序存储器选中信号 数据写入控制信号-WR 微处理器与存贮器的连接 数据程序存储器统一编址 程序存储器 指令的读出用读信号-RD 程序的写入用写信号-WR 数据存储器 指令的读出用读信号-RD 数据的写入用写信号-WR 微处理器与存贮器的连接 程序存储器 数据存储器 读信号-RD 写信号-WR 微处理器与存贮器的连接 数据程序存储器分别编址 程序存储器 指令的读出用程序存储器读信号 程序的写入用数据写信号-WR 数据存储器 指令的读出用数据读信号-RD 数据的写入用数据写信号-WR 微处理器与存贮器的连接 读信号-RD 写信号-WR 程序存储器 数据存储器 程序存储器选中 微处理器与存贮器的连接 89C51扩展2片6264 地址0000H、2000H 地址分离采用74LS373 数据线驱动采用74LS245 微处理器与存贮器的连接 74LS373 74LS245 本章知识点 常用存贮器* 微处理器与存贮器的连接* 存储器信息的断电保护** 存储器信息的断电保护 存储器信息的断电保护 SRAM与FRAM具有同样的读写时序 在微机系统中采用FRAM不必考虑断电保护问题 在微机系统中采用SRAM应考虑断电保护问题 存储器信息的断电保护 利用静态RAM的低电压保持信息的功能，对这些静态RAM采用后备电源供电。 静态RAM 6116，6264都具有这一功能。当 VCC大于2V，而片选信号 -CS≥VCC－0.2V时，能以极小的功耗保持其存贮的信息，此时流过电路的电流仅1～100μA。 存储器信息的断电保护 正常供电 存储器信息的断电保护 在正常供电时，D1导通，D2截止，电池不起作用。6116或6264的电源电压为5V减去二极管的压降。 三极管的导通与否受到译码器输出的控制。当译码器输出为低电平时，三极管导通，该存贮器被选中。当译码器输出为高电平时，三极管截止，该存贮器未选中。 存储器信息的断电保护 断电 存储器信息的断电保护 在断电时，D1截止，D2导通，由电池供电，6116或6264的电源电压为电池电压减去二极管的压降。 三极管的基极电压为零，因而此三极管截止，存贮器的片选端与VCC端电