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什么是三极管 半导体三极管又称晶体三极管或晶体管。具有三个电极，能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c。 结构与操作原理 三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有PNP和NPN两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极(Emitter，E)、基极(Base，B)和集电极(Collector，C)，名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出NPN与PNP三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的P型区和N型区隔开。 三极管的电特性和两个PN接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓正向活性区(Forwardactive)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的PN接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。为一PNP三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图片画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的PN二极管有什么差别呢?其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之PNP三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InBE(这部分是三极管作用不需要的部分)。In BE在射极与与电洞复合，即InBE=IErec。PNP三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图中看出。 射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB(或VBE)的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和PNP三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和电洞的角色互易。PNP三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区(或饱和区)与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1(或1与0)两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号(可以是电压或电流)变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。 三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例(信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地)，当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。)，三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。 晶体管(Transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。 半导体三