集成电教材资料路制造工艺.pptVIP

集成电路版图设计与验证 第三章 集成电路制造工艺 3.1双极集成电路制造流程 双极集成电路最主要的应用领域是模拟和超高速集成电路。 每个晶体管之间必须在电学上相互隔离开，以防止器件之间的相互影响。 下图为采用场氧化层隔离技术制造的NPN晶体管的截面图，制作这种结构晶体管的简要工艺流程如下所示： 3.1双极集成电路制造流程 3.1双极集成电路制造流程 （1）原始材料选取：制作NPN晶体管的原始硅材料通常是P型轻掺杂硅片 （2）制作埋层：埋层的主要作用是减小集电极的串联电阻 （3）初始氧化，利用热氧化生长厚度约为500一1000nm的氧化层 （4）生长N型外延层(图b) 3.1双极集成电路制造流程 3.1双极集成电路制造流程 （5）形成横向氧化物隔离区(图c，d，e) （6）形成基区（图f） （7）形成接触孔（图g） （8）形成发射区（图h） （9）金属化 （10）合金 （11）形成钝化层 （12）测试、封装，完成集成电路的制造工艺 3.1双极集成电路制造流程 3.1双极集成电路制造流程 3.1双极集成电路制造流程 3.2MOS集成电路工艺流程 早在1963年，F．M．wanlass和C T．Sah首次提出了CMOS技术．CMOS是英文Complementary Metal Oxide Semiconductor的简称，即互补CMOS技术 可以简单地将CMOS反相器看成是电压控制的单刀