微处理器第4章 存储器.ppt

* 位扩展例 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 LS158 A0~A7 A8~A15 2164A 2164A 2164A DB AB D0 D1 D7 0000H FFFFH .… * 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分 别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 * 字扩展 地址空间的扩展 芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联。 片选端分别引出，以使每个芯片有不同的地址范围。 * A0～A10 DB AB D0～D7 A0~A10 R/W CS 2K×8 D0～D7 A0～A10 2K×8 D0～D7 D0～D7 A0~A10 CS 译码器 Y0 Y1 高位地址 R/W 字扩展示意图 * 字扩展例 用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器 两芯片的地址范围分别为： 20000H～2FFFFH 30000H～3FFFFH * 字扩展例 G1 G2A G2B C B A Y2 Y3 MEMR MEMW A19 A18 A17 A16 74LS138 高位地址： 芯片1： 0 0 1 0 芯片2： 0 0 1 1 A19 A18 A17 A16 芯片1 芯片2 * 字位扩展 设计过程： 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进