三种描述类型静电场唯一性定理的证明.docVIP

2003 年 3 月第 18 卷 第 1 期山 东 师 范 大 学 学 报 (自 然 科 学 版)Journal of Shandong Normal Univers 2003 年 3 月 第 18 卷 第 1 期 山 东 师 范 大 学 学 报 (自 然 科 学 版) Journal of Shandong Normal University(Natural Science) Mar. 2003 Vol . 18 No . 1 三种描述类型静电场唯一性定理的证明 郑家奎 ( 泰山学院物理学系 ,271000 ,山东泰安 ; 44 岁 ,男 ,副教授 ) 摘要 从静电场的基本方程和边界条件出发 , 利用场论等数学工具给出了三种描述类型静电场唯一性定理的证明过程. 1 静电场的第一类唯一性定理 (如图 1 所示) 空间某一区域 V ①中有导体和介质 , 若已知 V 中导体以外的空 间 V 内自由电荷体密度为ρ( r) , 边界上的电势植 | s 或电势的法向导数 9 及导 9n | s 体的电势 i | si , 则空间的电场被唯一确定 . 证 :设电势函数 1 、2 都是这个问题的解 , 则 1 、2 都应满足泊松方程 A 2 1 = - ρ ; A 2 2 = - ρ. (1) ε ε 因电势值或电势的法向导数值被确定 , 根据边界条件 , 在边界 S 上有 9φ2 9Φ0 91 9Φ0 图 1 1| s = 0| s , 2| s = 0| s ; | s = | s , | s = | s . (2) 9n 9n 9n 9n 在导体分界面 S i 上 , 因导体为等势体 , 根据边值关系有 1| si = i | si , 2| si = i | si . ( 3) 令 = 1 - 2 , 则由 ( 1) 得 A 2 = 0. 在边界 S 上由 ( 2) 得 | S = 0 或 9 = 0. 9n | s ( 4) ) d v = ∫Ψ 9 d s , 在导体分界面 S i 上 由 ( 3) 得 | si = 0. 由 格 林 第 一 定 理 ∫( Ψ A 2 + A Ψ A s 9n v 令 Ψ = 并将 (4) 式代入得 ∫( A ) 2 d v = ∫ 9 s . 9n d v s 考虑到 V 的 边 界 S 包 括 V 的 边 界 S 和 导 体 表 面 S i , 上 述 闭 合 面 积 分 应 分 为 两 项 ∫( A ) 2 d v = v ∑∫ 9 s + ∫ 9 s , 在每个导体表面 S i 上 , 值满足 | si = 0 , 所以有 ∑∫ 9 s = 0. 9n d 9n d 9n d i si s i si 在空间 V 的边界 S 上 , 或 9 值满足 | s = 0 , 所以有 ∫ 9 s = 0 , V 空间上的体积分为 9n 的 9n d s ∫( A ) 2 d v = 0. (5) 在区域 V 的边界上 , 因电势值或电势的法向导数值被确定 ( 分别设为 1| S 和 9 ) 则有9n | S91 90 9φ2 9φ01| S = 0| S ; 2| S = 0| S 或 9n | S =9n | S9n | S = 9n | S .( 7)???在导体与介质的分界面上 , 因导体所带电量已知 , 由高斯定理有 Qi 在区域 V 的边界上 , 因电势值或电势的法向导数值被确定 ( 分别设为 1| S 和 9 ) 则有 9n | S 91 90 9φ2 9φ0 1| S = 0| S ; 2| S = 0| S 或 9n | S = 9n | S 9n | S = 9n | S . ( 7) ? ? ? 在导体与介质的分界面上 , 因导体所带电量已知 , 由高斯定理有 Qi = ∮D ·d s = ∫ε E·d s =ε∮E n ·d s si si si = - ε∫ 9 s , 所以在第 i 块导体上 , 1 、2 满足 9n d si 91 92 91 92 - ε∫ d s = Qi ; - ε∫ d s = Qi ; | si = | si . (8) 9n 9n 9n 9n si si 令 = 1 - 2 , 由 ( 6) 式得 A 2 = 0 , 在边界 S 上由 (7) 式得 91 92 90 92 9 | S = 1| S - 2| S = 0| S - 0| S = 0 ; 在导体分界面上由 (8) 式得 9n | S 9n = | S - | S = | S