第四章-场效应管放大电路.pptxVIP

电子技术基础 模拟部分;第四章 场效应管放大电路;综述;2、场效应管的分类 根据结构和工作原理的不同，场效应管(Field Effect Transistor缩写(FET))可分为两大类： (1)结型场效应管((junction FET-JFET) (2)绝缘栅型场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。 ;3、本章内容 (1)结型场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数； (2)绝缘栅型场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数； (3)场效应管放大电路。;4.1 结型场效应管 ;场效应管的与三极管的三个电极的对应关系： 栅极(gate electrode)g--基极b 源极(source electrode)s--发射极e 漏极(drain electrode)d--集电极c 夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。 图中所示的管子的N区是电流的通道，称为N沟道结型场效应管。;N沟道结型场效应管的电路符号如图中所示。其中，栅极g上的箭头表示栅极电流的方向（由P区指向N区）。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。;N沟道JFET的结构剖面图如图所示;（2）P沟道结型场效应管 如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。P沟道结型场效应管的结构示意图和它在电路中的代表符号如下： ;2、结型场效应管的工作原理 ;a.栅-源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使栅-源极间的P+N结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达106～109Ω左右)。; 在上述两个电源的作用下,iD的大小主要受栅-源电压vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。（电压控制电流源？） 因此，讨论场效应管的工作原理就是： a.讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD（或沟道电阻）的控制作用 b.讨论漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。?;(2)vGS对iD的控制作用 图中所示电路说明了vGS对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假设漏-源极间所加的电压vDS=0。 a. 当vGS=0时，沟道较宽，其电阻较小，如图中所示。 b. 当VP?vGS0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个P+N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+区，因此，随着|vGS| 的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大，如图中所示。; C.当VGS?VP时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断，如图中所示。由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压vDS，漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压vGS称为夹断电压，用VP表示。如图中所示。 ;上述分析表明: (a)改变栅源电压vGS的大小，可以有效控制沟道电阻的大小。 (b)若同时在漏极-源极间加上固定的正向电压vDS，则漏极电流iD将受vGS的控制，|vGS|增大时，沟道电阻增大，iD减小。 (c)上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场，电场强度的大小控制了沟道的宽度，即控制了沟道电阻的大小，从而控制了漏极电流iD的大小。 ;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;(3) vDS对iD的影响 设vGS值固定，且VPvGS0。 (a)当漏-源电压vDS从零开始增大时，沟道中有电流iD流过。 在vDS的作用下,导电沟道呈楔形。由于沟道存在一定的电阻，因此，iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端电位最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等，其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小，在漏极端最大(为 |vGD| )，即加到该处P+N结上的反偏电压最大，这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽，沟道宽度不再均匀，而呈楔形，如图中所示。 ;设vGS值固定，且VPvGS0时候 vDS对iD的影响 ; (b)在vDS较小时，iD随vDS增加而几乎呈线性地增加 它对iD的影响应从两个角度来分析：一方面vDS增加时，沟道的电场强度增大，iD随着增加；另一方面，随着vDS的增加，沟道的不均匀性增大，即沟道电阻增加，iD应该下降，但是在vDS较小时，沟道的不均匀性不明显，在漏极附近的区域内沟道仍然较宽，即vDS对沟道电阻影响不大，故iD随vDS增加而几乎呈线性地增加。 随着vDS的进一步增加，靠近漏极一端的P+N结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变宽，沟道电阻相应增加，iD随vDS上升的速度趋缓。;此时,漏极附近的耗尽层即在A点处合拢，如图中所示，这种状态称为预夹断。与前面讲过的整个沟道全被夹断不同，预夹断后，漏极电流iD≠0。