第四章薄膜的化学气相沉积.ppt

* 电子封装材料与薄膜技术研究所 金属有机化合物CVD(MOCVD)装置 MOCVD装置与一般CVD装置的区别仅在于前者在沉积过程中使用的是有机金属化合物作为反应物。 MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物（MO源）与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬 底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合 物单晶薄膜。 4.5 化学气相沉积装置 * 电子封装材料与薄膜技术研究所 金属有机化合物CVD(MOCVD)装置 优点 易于控制。用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外 延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可以用于生长薄层和超薄层材料。 适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。反应室中气体流速较快。因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性，这有利于 获得陡峭的界面。 适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材 料的均匀性。 生长速率快适用于批量生长。通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此生长速率调节范围较广。 对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。 4.5 化学气相沉积装置 * 电子封装材料与薄膜技术研究所 金属有机化合物CVD(MOCVD)装置 缺点 所采用的金属有机化合物和氢化物源价格昂贵； 部分MO源易燃易爆或者有毒，有一定的危险性； 反应后产物需要进行无害化处理，以避免造成环境污染。 4.5 化学气相沉积装置 常见MO源的蒸汽压和熔点 小 结 薄膜材料可以使用在适当高的温度、一定的压力下进行的CVD过程加以制备。CVD方法是由气相源物质开始，经过化学反应制备薄膜的方法 在CVD制备薄膜的情况下，需要考虑过程的热力学，更要考虑其复杂的动力学因素。 各种动力学因素都可能成为制约CVD方法薄膜制备过程的主要因素。 由于CVD过程的复杂性，因此大量采用数值模拟的方法研究CVD过程 第四章薄膜的化学气相沉积. 谢谢 * * * * 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 * * * * * * 目 * * * 目前，SEM已经成为材料研究的重要（最重要）工具。 与光学显微镜相比，两个特点： 1）放大倍率范围大（10-100,1000），相对光镜 的约2000倍 2）景深提高约300倍 * * * 温度对沉积的影响 沉积过程 扩散至衬底表面的反应物通量为 在衬底表面消耗的反应物通量为 平衡时两个通量相等 当 ，衬底表面的反应物浓度为零，反应物的扩散过程较慢，在衬底上方反应物已经贫化--------扩散控制的沉积过程； 当 ， ，因而反应物过程由较慢的表面反应控制，--------表面反应控制的沉积过程。 * 电子封装材料与薄膜技术研究所 4.4 化学气相沉积过程中的动力学 温度对沉积的影响 反应导致的沉积速率 低温时R是由衬底表面的反应速度（或ks）所控制的，其变化趋势受 的影响； 在高温下，沉积速率受界面的扩散系数D控制，随温度变化趋于缓慢。 * 电子封装材料与薄膜技术研究所 化学反应或化学气相沉积的速度随着温度的升高而加快！！！ 4.4 化学气相沉积过程中的动力学 CVD沉积的Si薄膜速率的均匀性 沉积速率的变化趋势为： 提高薄膜沉积均匀性的措施 提高气体流速v和装置的尺寸b； 调整装置内的温度分布，从而影响扩散系数D的分布 4.4 化学气相沉积过程中的动力学 温度对沉积的影响 反应反应速率随温度而变化 某些情况下化学气相沉积的速率随温度提高先升高后下降 正向反应为放热反应，其激活能低于反向