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§ 13. 2. 5 蒙特卡罗分析与最坏情况分析 (Monte Carlo/Worst-Case) 为了适应统计分析中模型参数要在一定范围内变化的要求,PSpice 中专门提供了统计分析用的元器件符号库,其名称为 BREAKOUT,库中每种无源元器件符号名为关键字母后加BREAK,如电阻、电容和电感符号的名称分别为RBREAK, CBREAK和LBREAK。对半导体有源器件,为了进一步区分其不同类别,在BREAK后还可再加一些字符例如双极晶体管符号名又分为代表横向PNP (LPNP)的QBREAKL,代表NPN晶体管的QBREAKN等,代表PNP管的QBREAKP等。 进行统计分析时,要考虑其参数变化的那些元器件必须改用BREAKOUT库中的符号。对这些元器件符号,在其模型参数的设置中,需要考虑参数变化的那些模型,参数常规设置项“参数名一参数值”的后面值。下面介绍的设置,具体描述该参数的变化。 由于一个电路中可能有多个元器件共用一个模型,如果在MC分析中每次分析时的随机抽样方式是这几个元器件值按同一个分布规律变化相同的值,则用关键词LOT表示。 如果一个元器件的值独立变化,则用关键词 DEV表示。每次分析中的抽样是按照随机数发生器产生的随机数进行的。 PSpice对LOT和DEV两种发生器均提供有10个编号的随机数发生器,用0,…,9表示。 如果希望同一个模型中的几个模型参数甚至不同模型间的模型参数按同一组随机数产生的随机数抽样,只需要在这几个模型参数的设置中,在LOT或DEV后面紧跟同一个编号的lot#,其中lot#A7 0,…,9中的某一数字,在lot#前需加斜杠符号“/”。如果在模型参数的设置中未采用lot#,则表示该参数按单独一个发生器产生的随机数变化。 随机数选取与组合 模型参数的变化模式设置应根据实际情况确定。 如果设计的电路要用印刷电路板 (PCB)装配,则不同PCB采用的元器件参数将独立随机变化,因此应选用DEV。 但是如果设计的电路用于集成电路生产,由于工艺条件的变化,将会使一批晶片上的元器件参数有一种同时增大或减小的趋势,这就应该用LOT表示。 但在集成电路生产中,同一晶片上不同管芯之间的参数又存在随机起伏,这就需要用DEV表示。 这就是说,对用于集成电路生产的电路设计进行MC分析时,对要考虑其变化的参数,应同时采用LOT和DEV两种变化模式。 为了反映实际生产中元器件参数的分布变化情况,PSpice 提供了正态分布(又称高斯分布)和均匀分布两种分布函数,供用户选用。 在设置时,应在参数变化模式设置的后面紧跟代表选用分布规律的关键词GAUSS(若选用正态分布)或UNIFORM(若选用均匀分布)。在关键词前应加有斜杠符号“/”。 根据上述分析,在MC分析中描述元器件参数统计变化是在需考虑其参数值变化的“参数名一参数值”后面加上变化规律描述,其一般格式为: 参数名=参数值[DEV[lot#][/分布规律名1变化值[%] + [LOT[/lot#][分布规律名]变化值[%]] 其中 “参数名”即为要考虑其参数变化的模型参数名称。“参数值”为该模型参数的中心值,或标称值; 上述格式中用方括号括起来的表示并非一定要给出。DEV、LOT为关键词,表示参数变化模式。 lot#可取0,…,9; 分布规律名可以是GAUSS, UNIFORM或用户定义的分布函数名; 注意这两项赋值前面的斜杠符号不可少,且斜杠号前后均不应留空格。 表13-4 蒙特卡罗分析和最坏情况分析的参数 参数名 类别 说明 MC runs 分析类型 分析采样的次数 AC 分析类型 交流扫描 DC 分析类型 直流扫描 Transient 分析类型 瞬态分析 Output 分析类型 选择分析的输出节点 YMAX 目标函数 求出波形与额定运行值的最大差值 MAX 目标函数 求出每个波形的最大值 MIN 目标函数 求出每个波形的最小值 RISE 目标函数 找出第一次超出域值的波形 FALL 目标函数 找出第一次低于域值的波形 Range Low 目标函数 定义参数允许的变化范围 Range high 目标函数 定义参数允许的变化范围 表13-4 蒙特卡罗分析和最坏情况分析的参数(续) 参数名 类别 说明 Rise/Fall 目标函数 设置区域 Output MC参数选项 保存数据的方式,可选的值包括 Seed MC参数选项 蒙特卡罗分析的随机种子 List MC参数选项 是否在输出文件里列出模型参数的值 Vary WCase参数选项 分析的偏差对象 Directions WCase参数选项 设定最坏情况分析的趋向 Device WCase参数选项 给定起作用的偏差器件对象 2.蒙特卡罗
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