电子功能材料及元器件 大学课件 梁喜双习题答案.docxVIP

第一章作业 1.形状记忆合金为什么具有形状记忆的功能？ 答：马氏体相变过程如右图。 将形状记忆合金从高温母相（a）冷却，在低于室温附近的某一温度时，母相（a）变为 马氏体相（b）,这时的马氏体是由晶体结构相同，结晶方向不同的复数同系晶体构成，同母 相相比，各同系晶体都发生了微小变形，但形成同系晶体时避免相互之间形变，从而保证在 外形上没有改变。马氏体相中的A面和B面在足够小的力下即能移位，所以马氏体相材料 柔软，易变形，在外力作用下，马氏体向着外力择优的方向变形为变形马氏体相（c）o此材 料在加温时，又能返回母相（a）,从而恢复形状，马氏体相（b）在温度高于一定程度逆相 变点Af时也能返回高温母相。 一般来说，高温母相只有温度冷却到马氏体相变温度Ms以下时，才开始向马氏体相转 变，但在外力作用下，即使温度高于逆相变点（Af）,也能形成马氏体相，但此时仅能形成 择优方向的变形马氏体，由于在温度高于（Af）时，马氏体相能量不稳定，除去电荷后立 即能恢复到母相（a）o 综上可知，形状记忆合金具有形状记忆功能。 2?分析说明温度变化对高纯的Cu, Si （Cu-Al-Ti-Ni）^状记忆合金电阻率（p） 的影响 1） Cu（金屈）：温度升高散射作用增大，电阻率（p）升高；温度下降散射作用减 小，电阻率（p）下降； 2） Si （半导体）：温度升高晶格散射加剧会使山减小，但激发产牛的载流子增 多，使p减小占优势，从而使宏观电阻率p减力、，使Si呈现负温度特性。 3） （Cu-Al-Ti-Ni）形状记忆合金: 14 syCJwM^tf咼温相A321—O5卩 syCJwM^tf 咼温相A 3 2 1— O 5 卩 V 77 ?母相立方晶体，晶格畸变小，散射作用弱，P小，马氏体和为斜方晶体，晶格 畸变大，散射作用大，P大。 相变过程中，混合相看哪相比例大。 温度升高，散射作用大，P增大；温度下降，散射作用小，P减小； 实线（降温过程）：母相（高温）- Ms:T减小，p减小；Ms - Mf:立方—斜 方变化，T减小，p增大；Ml马氏体：T减小，p减小 虚线（升温过程）：马氏体-As:T升高，p增大。As-Af：斜方一 立方变化， T升高，p减小；Af-母相：T升高，p升高 ?超导体处于超导态时应具备哪些特征？如何理解超导体的“零电阻”? 特征：1）零电阻效应（TTC, R-0） 2） 迈斯纳效应（TTC, B=O） 3） 临界磁场效应（TTc，HHc超导态破坏） 4） 临界电流效应（TvTc，IIc超导态破坏） “零电阻1） TTc，R—O （比常导体的剩余电阻小得多） 2） 对直流而言 3） TTC, R突变为0 4??解释超导机理的BCS理论的主要内容是什么？并讨论超导体中常导电子和超 导电子的关系如何？ 要点：1）具有相同速度方向相反的电子在点阵阳离子作用下可结成库伯对—— 超流粒子。 2） 电子按费米球分布，能量低的在费米球内形成常导电子，能量高的在 费米面附近。 3） 常导电子和超导电子可以温度而相互转化TTc，全部为常导电子。 关系：TTC,形成的库伯对随T降低而增多，TK时，全部形成库伯对。 HHc,以及IIc时，全部为常导电子。 5?以GaAs/GaAlAs组成的超晶格为例，讨论材料厚度变化对晶格材料性质有哪些 影响？ 要点：如果交替生长的薄膜厚度较大，那么量子阱和子能带就不明显，甚至消失 而不具有超品格作用，只能表现出两种禁带宽度E1和E2不同异质结作用。 性质：（1）晶格常数（2）禁带宽度（3）隧道效应（4）子能带（5）高速化 组分超晶格中子能带是如何形成的，影响其禁带宽度的因素有哪些？ P.18影响其禁带宽度的因素：势阱宽度，材料自身性质。 分析设计应变超晶格材料时，影响其晶格常数和禁带宽度的因素及相互关系 p」9 电介质中通常会产生那几种极化方式，简要说明。 p.24 第二章作业 MO晶体中，常见的点缺陷有哪些？并说明电离缺陷的电学性质及成因 常见点缺陷种类：施主：Mi,Vx,FM（高价替代） 受主:VM, Fm,（高价替代） Xi难生成 成因： 1） 具有弗朗克（FwnKel）缺陷的整比化合物 2） 反弗朗克缺陷的整比化合物 3） 肖特基（Schottky）缺陷 4） 反肖特基缺陷 5） 反结构缺陷 6） 非整比化合物M|.yX （产牛Vm） 7） Vx空位的产生：MXi.y 8） 非整比化合物Mi+yX （Mi产生） 9） 产生Xi缺陷MXi+y 写出处理金属氧化物（M0）晶体中缺陷平衡问题的方法步骤；若真空热处理 的M0中主要缺陷为间隙金属原子（M（i））, H为全电离状态，试推导其电导率 与氧分压（Po2）的关系式 方法：1）根据所给工艺条件，写出产生的主要缺陷反应式； 2） 写岀相应质量作用定律表达式； 3）