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The End 铁电材料及其应用 (2)教材 谢谢 优点：1、膜厚易于精确控制，为分子级水平(纳米级)，膜层缺陷少，可获得优质均匀的超薄膜； 2、可一层一层累积起来，形成多层膜，或在膜中引入纳米微粒，制各有机、无机、高分子等的交替叠层或超晶格薄膜； 3、成膜条件容易实现，制备过程简便，重复性好，可在常温、常压下获得高度有序排列的超薄膜； 4、可引入具有特殊功能的基团，获得特种要求的超薄膜。 * 前期处理：将PVDF溶解在铺展剂（如DMF，N,N-二甲基甲酰胺）中，取一定量的溶液缓慢均匀的滴在亚相（即水）中。 第一步：溶液在水中扩展，有机溶剂挥发，在水-气界面上pvdf分子有序排列为单分子层。 * 目录 铁电基础 有机铁电聚合物薄膜PVDF 文献阅读 基本概念 铁电材料（Ferroelectrics） 1.具有自发极化强度（Ps）——必要条件 Spontaneous Polarization 2.极化方向可随外加场变化 Switchable Ps 主要特征 1.电滞回线（hysteresis loop） ——铁电态的 自发极化Ps 剩余极化Pr 矫顽电场Ec 铁电基础 2.铁电畴 电畴：铁电体中自发极化方向一致的小区域 畴壁：电畴与电畴之间的边界 电畴 180°畴壁 90°畴壁 铁电基础 发展概况 1.罗息盐时期——发现铁电性 2.KDP时期——热力学理论 3.钙钛矿时期——软模理论 4.铁电薄膜及器件时期——小型化 铁电基础 性质与相应器件 性质 主要器件 介电性 电容器、动态随机存取存储器（DRAM） 压电性 声表面波（SAW）器件、微型压电马达、微型压电驱动器 热释电性 热释电探测器及阵列 铁电性 铁电随机存取存储器（FRAM） 电光效应 光调制器、光波导 声光效应 声光偏转器 光折变效应 光调制器、光全息存储 非线性光学效应 光学倍频器 压电材料 热电材料 铁电材料 铁电基础 铁电存储器（MFSFET） 在MOS中用铁电薄膜（F）代替二氧化硅栅氧化物薄膜（O）构成MFSFET场效应管 由于极化滞后，漏电流展现两种状态：ON/OFF 读写过程不需要大电场，在读写后也不需要重写，设计简单 铁电基础 1.非挥发性铁电随机存储器（NvFRAM） 存储的信息断电不会丢失 铁电体不仅作为电容而且是存储器的一部分 优点： 低电压运作（1.0-5.0V），低功耗 小尺寸，仅为EEPROM单元的20％ 抗辐射（军用，卫星通信） 高速（200ns读取） 易与其他Si器件集成 铁电基础 2.铁电动态随机存储器（DRAM） 铁电薄膜具有大的介电常数(ε=100-2000)，代替SiO2(ε=3.9)，可减小存储单元面积 铁电基础 本组工作—— 有机聚合物铁电超薄膜PVDF PVDF有几种不同的构型，包括全反式TTTT，顺反交替式TG+，TG-，TTTG+和TTTG-构型。不同构型的分子链按照不同的排列方式造成了PVDF不同的晶形，常见有α，β，γ，δ四种晶形。 聚偏氟乙烯 聚三氟乙烯 聚氨酯 奇数尼龙 铁电聚合物的种类 种类 铁电聚合物的研究主要是聚偏氟乙烯及其共聚物 有机聚合物铁电超薄膜PVDF PVDF及共聚合物具有以下优点 ①PVDF 的处理温度低于200℃，有利于他们与半导体技术集成； ②PVDF 薄膜具有二维铁电性，即使厚度只有几十纳米，其铁电和热释电性仍不具有明显变化。 ③它们能够被沉积在各种各样的基片上，如柔性的聚酰亚胺基片； ④不含铅等有害物质，原料合成与薄膜制备的费用低； ⑤PVDF 基薄膜适用于光刻等微加工技术。 ⑥PVDF 薄膜具有很好的力学性能，可以制备自支撑结构的探测器。 有机聚合物铁电超薄膜PVDF PVDF 薄膜的制备 1.旋涂法 PVDF +溶剂 PVDF溶液 PVDF初膜 PVDF薄膜样品 超声 真空脱气 真空热处理 硅基旋涂 有机聚合物铁电超薄膜PVDF PVDF分子式 非极性基团（亲油） 极性基团（亲水） 可视为双亲分子 膜厚易于精确控制 可形成单分子层膜或多层膜 成膜条件容易实现 获得特种要求的超薄膜。 2.LB法 有机聚合物铁电超薄膜PVDF 第一步：水-气界面形成单分子层 有机聚合物铁电超薄膜PVDF 第二步：转移至固相衬底制膜 水平附着法 有机聚合物铁电超薄膜PVDF PVDF 薄膜的应用 一、有机铁电存储器 若采用有机半导体，则可以实现全有机的铁电存储器 存在问题：需要提高剩余极化、减低工作电压、增加薄膜的结晶度和优化结晶方向、解决界面效应、提升疲劳特性和提高介电常数 等等。 有机聚合物铁电超薄膜PVDF 二、热释电红外探测器 无机含铅铁电材料如：PZT、PST已成为非制冷红外探测器中的主