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CZT探测器工作原理与性能分析 TOC \o 1-3 \h \u 31533 1 CZT晶体性能分析 1 19625 2 CZT工作原理 2 8515 3 CdZnTe探测器的类型 3 10106 4 CZT国内外研究现状及发展应用趋势 4 11059 4.1 国内外研究现状 4 13726 4.2 CZT发展应用趋势 4 碲锌镉(CZT)探测器是目前倍受关注的半导体核辐射探测器之一，与其他常用探测器相比，它有较多优点，下面进行对CZT晶体和探测器工作原理作相应的介绍。 1 CZT晶体性能分析 CdZnTe晶体是近年发展起来的一种性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料，闪锌矿结构，空间群为F43m。CdZnTe晶体是由于CdTe晶体的电阻率较低。所制成的探测器漏电流较大，能量分辨率较低，在CdTe中掺入Zn后，其禁 带宽度增加。发展成为一种新材料。CdZnTe(20％ZnTe，80％CdTe)晶体电阻率高(约1011cm)、原子序数大(48,52)，禁带宽度较大。且随Zn含量的不同，禁带宽度从1.4 eV至2.26 eV连续变化，所制成的探测器漏电流小，本征探测效率高，对湿度不敏感，体积小，在室温下对X射线、γ射线能量分辨率好，能量探测范围在10keV～6MeV，无极化现象，非常适合探测器能量10～500 keV的光子，同时又可在室温下很好地工作。目前的生产工艺可制备体积为1～2cm3，的CdZnTe单晶体，探测能量达到1MeV以上。 表1 CdZnTe晶体和CdTe晶体的基本性能 项目 CdTe CdZnTe 原子数 48，52 48，30，52 密度（g/cm3） 6.06 5.9～5.95 禁带宽度（eV） 1.47 1.57～1.64 电阻率（） 约109 （1～5）1010 0.1～2 0.8～9 1～10 0.1～12 CdZnTe晶体通常采用高压布瑞吉曼生长技术制备，CdTe晶体通常采用移动加热方法制备。由于生产工艺不同，CdTe晶体相对CdZnTe晶体更适合于大量生产，具有较好的一致性和可重复性，价格也相对便宜；而CdZnTe晶体中Zn离子的掺入加宽了禁带宽度，提高了电阻率，减小了室温下暗电流，因此具有比CdTe晶体更好的电子输运性能。CdZnTe晶体和CdTe晶体性能接近，一般可从具体任务所要求的晶体数量、单晶大小、成本和一致性等方面综合考虑进行选择。表1是CdZnTe和CdTe晶体的基本性能。 2 CZT工作原理 辐射探测器的工作原理基于粒子与材料的相互作用。当粒子通过某种材料时，这种材料就吸收其部分或全部能量而产生电离或激发作用。若粒子是γ射线或 X射线，则先经过一些中间过程，产生光电效应、康普顿效应或正负电子对，把能量部分或全部传给物质的轨道电子,再产生电离或激发。此类探测器接收到入射粒子后，立即给出相应的电荷信号，经过后续电子线路放大并处理，便可以进行记录和分析，CZT探测器即为该类探测器。 CdZnTe探测器晶体表面是很薄的金属电极，这些电极在偏压作用下，在探测器晶体内部产生电场。当有电离能力的射线和CdZnTe晶体作用时，晶体内部产生电子和空穴对，并且电子空穴对数量和入射光子的能量成正比。带负电的电子和带正电的空穴朝不同的电极运动，最终被收集起来。形成的电荷脉冲经过前放变成电压脉冲，其高度和入射光子的能量成正比。从前放出来的信号通过成形放大器转换为高斯脉冲，被再次放大。这些信号可以通过标准的计数器来识别或者用多道分析器形成入射光子的能谱。其工作示意图如图1所示。 图1 CZT工作原理示意图 3 CdZnTe探测器的类型 目前国际上比较常见的CdZnTe器件类型有：金属半导体金属(MSM)探测器、共面栅探测器和像素阵列探测器。(1)MSM探测器：是最简单的平板CdZnTe探测器。目前一般采用Au、In和Pt等金属作为探测器的金属层，现在已获得稳定性很好的探测器，结合脉冲整形电路可用作低能X射线能谱探测器。由于未能很好地解决低能能量尾迹，目前还无法用于γ 射线能谱探测。(2)共面栅探测器：为了解决空穴收集特性相对较差带来的能量分辨率和电荷收集率差的问题，研究人员通常采用电学方法和设计各种探测器电极结构来提高能量分辨率和电荷收集率。电学方法通常包括脉冲整形辨别和电荷补偿。而通过改变探测器电极结构来提高能量分辨率的各种方法有一个共同的特点，即收集到的电荷主要依赖于阳极附近的电子运动，从而使收集到的感应电荷与图2 CZT共面栅电极示意图空穴运动以及电子空穴对的产生深度无关，这些器件被称为单极型器件。由Luke PN于1994年秋提出的共面栅技术获得了良好的能量分辨率以及提高了光峰效率，具有良好的发展前景。(3)像素阵列探测器：CdZnTe像素阵列探测器常用于成像系统，其基