陶瓷基复合材料综述.pptVIP

熔化金属的生长 2.2.2 直接氧化法 是通过熔融金属与气体反应直接形成陶瓷基体。 2.2 现代工艺 2.2 现代工艺 2.2.2 直接氧化法 此种工艺中控制反应动力学是非常重要的。因为化学反应的速率决定了陶瓷生长的速度，一般陶瓷生长速率为 1 mm/hr。 所生产的部件尺寸可达 20 cm. 2.2 现代工艺 2.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 简单地说CVI工艺需要： 进气系统； 一个化学气相沉积反应器，其中能够加热基底与导 入反应 气体； 尾气处理系统。 2.2 现代工艺 2.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) An isothermal chemical vapor impregnationg(ICVI)reactor in its simplest form. 2.2 现代工艺 2.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 实际上这是一种与制备陶瓷材料相似的化学气相沉积方法。 在1200 - 1400 K的温度下： CH3Cl3Si(g) SiC(s) + 3HCl(g) 有的时候还可以用原料气，如氧化铝基体复合材料的制备，在 950 - 1000 ℃和 2-3 kPa 的压力下: H2(g) + CO2(g) H2O(g) + CO (g) 2AlCl3(g) + H2O (g) Al2O3(s) + 6 HCl(g) 2AlCl3(g) + 3H2(g) + 3CO2(g) Al2O3(s) + 3CO(g) + 6HCl(g) 2.2 现代工艺 2.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) CVI 工艺的优点： 制备的复合材料在高温下仍有好的机械性能； 可以制备大尺寸、复杂形状和近净形的部件； 适用于很多种类的陶瓷基体与增强纤维。 缺点： 速度慢、成本高 2.2 现代工艺 2.2.4 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 工艺步骤： 制备陶瓷基体组元溶胶； 加入增强相（颗粒、晶须、纤维等）并使其均匀分布于溶 胶中； 得到稳定均匀分布有增强相的陶瓷基体组元凝胶； 干燥，压制，烧结后即可形成复合材料。 2.2 现代工艺 2.2.4 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 优点： 陶瓷基体成分容易控制； 加工温度较低； 得到的复合材料的均匀性好。 缺点： 较大的收缩率； 生产效率低。 三、陶瓷基复合材料的界面和界面设计 3.1界面的粘结形式 （1）机械结合 （2）化学结合 陶瓷基复合材料往往在高温下制备，由于增强体与基体的原子扩散，在界面上更易形成固溶体和化合物。此时其界面是具有一定厚度的反应区，它与基体和增强体都能较好的结合，但通常是脆性的。 若增强体与基体在高温时不发生反应，那么在冷却下来时，陶瓷的收缩大于增强体，由此产生的径向压应力?与界面剪切应力??有关：? = ? ?? ，?为摩擦系数，一般取0.1~0.6。 3.2界面的作用 陶瓷基复合材料的界面一方面应强到足以传递轴向载荷并具有高的横向强度；另一方面要弱到足以沿界面发生横向裂纹及裂纹偏转直到纤维的拔出。因此，陶瓷基复合材料界面要有一个最佳的界面强度。 强的界面粘结往往导致脆性破坏，裂纹在复合材料的任一部位形成并迅速扩展至复合材料的横截面，导致平面断裂。这是由于纤维的弹性模量不是大大高于基体，因此在断裂过程中，强界面结合不产生额外的能量消耗。 陶瓷基复合材料界面示意图 若界面结合较弱，当基体中的裂纹扩展至纤维时，将导致界面脱粘，发生裂纹偏转、裂纹搭桥、纤维断裂以至于最后纤维拔出。所有这些过程都要吸收能量，从而提高复合材料的断裂韧性。 陶瓷基复合材料界面示意图 3.3界面性能的改善 为了获得最佳界面结合强度，希望避免界面化学反应或尽量降低界面的化学反应程度和范围。 实际当中除选择增强剂和基体在制备和材料服役期间能形成热动力学稳定的界面外，就是纤维表面涂层处理。包括C、SiC、BN、ZrO2 和SnO2等。 纤维表面涂层处理对纤维还可起到保护作用。纤维表面双层涂层处理是最常用的方法。其中里面的涂层以达到键接及滑移的要求，而外部涂层在较高温度下防止纤维机械性能降解。 四、陶瓷基复合材料的性能 4.1室温力学性能 4.1.1拉