陶瓷物理力学性能.pptVIP

位错攀移 位错运动导滑移面以外，位错线以上的原子跳入位错，这等价于位错移入相邻平面。 滑移是位错沿着滑移面运动，而攀移则是位错沿着垂直于滑移面运动，使得位错从障碍的束缚中释放出来。 位错机理 扩散蠕变理论 高温下的蠕变现象是和晶体中的扩散类似的，并且把蠕变过程看作是外力作用下的沿应力场方向扩散的一种形式。当试件受拉时，受拉晶界的空位浓度C拉将增加。 空位体积 平衡空位浓度 在受压晶界上，空位浓度将减小： 这样，受拉与受压晶界产生了空位浓度差，受拉晶界上的空位就要向受压晶界迁移，而原子就朝相反方向扩散。结果导致沿受拉方向伸长，这种扩散可以是体扩散，沿着晶粒内部进行，也可以是晶界扩散，沿着晶粒间界面进行。那保罗等计算出沿晶粒内部扩散导致的稳定蠕变率为： 如果扩散沿着晶界进行则蠕变符合柯柏公式： 一般B1＝13.3 取决于晶粒形状和应力状态，一般B2＝47 扩散系数 扩散空位或者原子离子的体积 晶粒直径 晶界宽度 晶界扩散系数 总的应变速率是上面两种机理导致的应变速率之和。 晶界滑移 多晶陶瓷晶界是晶格点阵的畸变区，起着缺陷和能垒的作用，也是化学组成微不均匀带，易于富集杂质，形成玻璃相或者微晶相。同时，晶界是应力集中区，所以相邻晶粒间的滑移是陶瓷高温蠕变的一种重要微观过程。 10.3.1 影响陶瓷材料高温蠕变的因素 1 气孔率：气孔率越高，蠕变速率越快。 2 晶粒尺寸：晶粒尺寸越大，位错运动引起变形，蠕变速率小。晶粒尺寸小，晶界扩散控制，蠕变速率大。 3 化学配比： 晶体结构中共价键越强，扩散和位错迁移率越低，因此对于严格化学计量比的纯碳化物和氮化物陶瓷材料，抗高温蠕变性能很强。 氧化物中由于存在大量空位，而且一些复相氧化物配比是可变的，因此抗蠕变性能低。 10.3.2 高温蠕变的示例 11.6 陶瓷材料的疲劳 金属疲劳： 指在长期交变应力作用下，材料耐用应力下降及破坏的行为。 陶瓷疲劳： 分为静态疲劳、循环疲共和动态疲劳。 静疲劳相当于金属中的延迟断裂，即在一定载荷作用下，材料的耐用应力随时间下降的现象。 动态疲劳是以恒定载荷速率加载，研究材料的失效断裂对加载速率的敏感性。 金属疲劳时，局部塑性变形起很大作用，由于反复的局部塑性变形，引起累积损伤，使疲劳载荷下的最大作用应力远小于材料的强度极限甚至小于屈服极限。 陶瓷材料在室温下不发生或很难发生塑性变形，因此金属中累积损伤和疲劳机理不适用于陶瓷。 在第一阶段：裂纹尖端水蒸气引起Si-O结合，这种应力腐蚀速度控制了扩展速度V。 A／n为材料常数，n称应力腐蚀指数，该公式是玻璃陶瓷等材料寿命估算的基本公式。 第二阶段：裂纹尖端的活性物质（水酸碱）的扩散速度跟不上应力腐蚀的速度，扩散速度控制了裂纹扩展速度。 第三阶段：是指腐蚀反应时，材料内部缺陷使裂纹快速扩展，裂纹尖端应力强度因子达到KIC时材料发生突然断裂。 11.6.1 静疲劳 陶瓷静疲劳是通过一定载荷下，陶瓷中裂纹扩展与寿命的关系进行研究的，通常用裂纹尖端的应力强度因子KI和裂纹扩展速度V的关系曲线表示。 应力强度因子 介质腐蚀 裂纹扩展 11.6.1 静疲劳 对于大多数陶瓷来说难以观察到三个扩展阶段，但是直线是可以观察到的。而且大多数只出现第一阶段后便发生失稳断裂。 n是材料强度评价及可靠性分析的重要的参数，不同材料值不同，环境不同值不同。lgV－lgKI的斜率即为n。 11.6.2 循环应力疲劳 循环载荷对陶瓷材料造成附加影响，对于非相变陶瓷附加损伤较小，对于ZrO2附加损伤严重，存在明显的循环应力疲劳效应。综合比较金属及陶瓷疲劳行为有以下特点： 陶瓷材料对交变载荷不敏感，疲劳裂纹扩展速率强烈依赖于最大应力强度因子Kimaxl，应力强度因子幅?KI影响较小。 陶瓷断口中不易观察到疲劳条纹。 金属的应力腐蚀指数一般为2～4，陶瓷约10～数百。 陶瓷材料不存在真正的疲劳极限，只有条件疲劳极限，并且疲劳强度分散性远大于金属。 金属的疲劳门槛值Kth=(5%~15%)KIC，陶瓷该值属同一数量级，差别不大。 由于Kth与KIC接近，可进行疲劳裂纹扩展试验的应力强度因子范围很窄（几个MPam1/2）。表明疲劳试验时，或者裂纹始终不扩展，或者一旦扩展立即断裂。 11.6.3 陶瓷的动态疲劳 通过改变