第09讲—Ch8 光电传感器.ppt

P189：思考题与习题：1. 2. 3. 4. 5. 6. 7 Thank you! 第8章 光电传感器 光电效应 电子吸收光子，获得能量，从低能E1态跃迁到高能态E2，并满足下式： 符合上式的光子才能被接收，所以传感器有一个波长范围。 本证半导体有禁带Eg，吸收光子满足下式： 8.1.2 半导体光电效应 外光电效应 电子吸收光子后，如果能够克服表面势垒逸出半导体表面，则产生外光电效应 内光电效应 电子吸收光子后，不能逸出半导体表面，则产生内光电效应。 主要可有光电导效应和光伏特效应。 电致发光 电子在高能量电场的作用下，获得能量，从低能E1态跃迁到高能态E2，当它回到低能态时，发出辐射光子。光子能量满足下式： 8.2 外光电效应光电器件 8.2.1 光电管 光电管并不采用半导体制作，而是采用金属制成 阴极和阳极封装在真空或冲入惰性气体的玻璃管中，如图8.1所示。 是否产生电流取决于入射光频率，电流的大小取决于光照强度。 红限频率：使电子恰好能够逸出的光子频率。满足： 外光电反应的时间不超过 1ns。 光电管的工作原理是外光电效应。 外光电效应满足下式： 充气光电管的灵敏度相对真空光电管的灵敏度更高，这是因为光电子飞行途中导致气体电离，从而使得阳极电流增加；但稳定性及频率特性较差。 8.2.2 光电倍增管 K发出的电子受电场作用高速打击D1，使D1产生二次电子发射,激发出更多的电子；D1发射的电子在电场的作用下更高速打击D2 ,激发出更多的电子；……；最终为A所接受。 假设没有倍增时的电流是iΦ，每次倍增到σ倍，n次倍增后，有 8.3 光电导效应及光电元件 光电导效应：半导体受到一定波长的光照，产生电子——空穴对，电导值增加。 8.3.1 光敏电阻的结构及原理 不同的半导体材料，对不同波长敏感，制成相应的光敏电阻。 分为三个波段：紫外、红外、可见光。 对应有不同的用途。 1. 暗电阻、亮电阻与光电流 无光照射时的电阻为暗电阻——对应有暗电流 有光照射时的电阻为亮电阻——对应有亮电流 光电流＝亮电流－暗电流 8.3.2 光敏电阻特性 2. 光敏电阻的伏安特性 3. 光敏电阻的光照特性 4. 光敏电阻的光谱特性 5. 光敏电阻的温度特性 8.4 光伏特效应及光电元件 N型半导体：在本征半导体中掺入5价元素的杂质?多数载流子：自由电子 P型半导体：在本征半导体中掺入3价元素的杂质?多数载流子：空穴 光伏特效应：光照PN结区，使 “电子-空穴” 对增加，在内建电场的作用下 空穴向P区移动，电子向N区移动，?光生电动势（光电池） 光敏二级管工作原理 光敏二极管工作于反向，光照使得反向电流大大增加。 8.4.1 光敏晶体管 光敏二级管结构 光敏三级管工作原理 光敏三极管可以被理解为在普通三极管的集电结旁并联了一个光敏二极管。 灵敏度高，稳定性差。 8.4.2 光电伏特型光电元件 1. 光电池结构原理 2. 光电池的特性 1) 光电池的光谱特性 2) 光电池的光照特性 电压同照度之间不是一个线性关系；短路电流同照度之间是线性关系。 用作测量时，应该作为电流源使用。 负载电阻会影响到短路电流同光照之间的线性关系，所以负载电阻越小越好。 3) 光电池的频率特性 4) 光电池的温度特性 8.5 CCD图像传感器 SiO2厚约1um，其上有金属电极，每个电极同绝缘层及硅基体构成一个MOS电容器，每个电极距离很近（间隔约0.3um），它们之间可以发生电荷耦合，电荷可以在相邻电容器之间移位，所以被称之为电荷耦合器件（Charge Couple Device）。 1. CCD结构 2. 电荷存储 势阱 在电极上加正电压，就会在电极所在位置的下方SiO2厚形成耗尽区，对于电子来说，这个耗尽区就是势阱，电子容易进入其中。电压越高，势阱就越深，吸收电子的势就越大。 感光 光照时，耗尽区吸收光子产生电子——空穴对，其中空穴将流入衬底，而电子则被收集在势阱中。 3. 电荷耦合（电荷传送） 信号分组连接 将1、4、7，，，接1号控制信号线； 将2、5、8，，，接2号控制信号线； 将3、6、9，，，接3号控制信号线； 串行传送 3根信号线加图示信号控制电压，则因为控制信号电压的相位关系，使得势阱深度发生图示变化，电荷发生转移输出。 改进 采用双层CCD，上层为感光CCD；下层为传送CCD。 感光后把电荷并行转移到传送CCD，由传送CCD把电荷信号串行送出。 4. 电荷输出 下图在N+施加高电压（二极管反向偏置），形成深势阱，吸收电子并输出。 OG相当于在输出极之前加了一道闸门，以配合输出极的输出和复位。 场效应管V做成复位管，对