缺陷测高方法-6dB法测定缺陷自身高度.doc

缺陷测高方法-6dB法测定缺陷自身高度 T.1 一般要求 T.1.1 使用-6dB法测定缺陷自身高度时，应尽可能采用直射波法。 T.1.2 灵敏度应根据需要确定，但应使噪声水平不超过显示屏满刻度的10%。 T.1.3 原则上应选用K1、标称频率为2MHz～5MHz的探头为宜。 T.1.4 使用聚焦探头时，其声束会聚范围等参数应满足所探测缺陷位置的要求。 T.2 -6dB法 T.2.1 -6dB法适用于波形模式Ⅱ类型的缺陷。 T.2.2 使探头垂直于缺陷长度方向移动，注意观察动态波形包络的形态变化。若回波高度变化很小，可将回波迅速降落前的波高值，作为-6dB法测高的基点，即图T.1中的A和A1点。 图T.1 用-6dB法测缺陷自身高度 T.3 时基线校准 在CSK-IA试块上校准时基线。 T.4 测定 将回波高度调到显示屏满刻度的80%～100%，移动声束使之偏离缺陷边缘，直至回波高度降低6dB。根据已知的探头入射点位置、声束折射角和声程长度，标出缺陷的边缘位置。 T.4.1 埋藏缺陷的测定 缺陷自身高度： ΔH = (W2 ?W1 ) ? cosθ ····································· （T.1） 式中W1和W2分别为缺陷上、下边缘位置至入射点的声程，θ为探头折射角。 T.4.2 表面开口缺陷的测定 T.4.2.1 当缺陷开口位于检测面一侧时 缺陷自身高度： ΔH =W ? cosθ ····································· （T.2） 式中: W ——缺陷下边缘位置至入射点的声程，mm； θ ——探头折射角，（°）。 T.4.2.2 当缺陷开口位于检测面另一侧时 缺陷自身高度： ΔH = t ?W ? cosθ ····································· （T.3） 式中： t ——壁厚，mm； W ——缺陷上边缘位置至入射点的声程，mm； θ ——探头折射角，（°）。