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* 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 3.3 CMOS 逻辑门 漏极D→集电极C 源极S →发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 Sect 二、 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 1.转移特性曲线 UDSUGS-UT UGS(V) ID(mA) UDS一定时，UGS对漏极电流ID的控制关系曲线 ID=f(UGS)?UDS=C UT UGS UT MOS管导通 UGS UT MOS管截止 UGS UT MOS管导通 UGS UT MOS管截止 NMOS PMOS ? MOS管衬底的处理 保证两个PN结反偏，源极—沟道—漏极之间处于绝缘态 NMOS管—UBS加一负压 PMOS管—UBS加一正压 处理原则： 处理方法： Sect 三、MOS管的开关特性 输入低电平，NMOS管截止； 输入高电平，NMOS管导通。 输入低电平，PMOS管导通； 输入高电平，PMOS管截止。 M OS管开关等效电路（理想情况下） 2. PMOS管开关等效电路。 当UGS≤-UT时,TP导通： 当UGS-UT时, TP截止： （等效开关 图同上） 1、NM OS 管开关等效电路 当UGS≥UT时, TN导通： ， 当UGSUT时， TN 截止 3.3.1CMOS非门 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 1．电路组成 VDD S2