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高效节能功率MOSFET.PDF
高效节能功率MOSFET
（U-MOS-H／U-MOS -H／DTMOS ）
产品概述
东芝提供高性能MOSFET，具备高速，低损耗，低导通电阻等功能。 封装及耐压范围广
可以满足您各方面的需求。
方案特点
绿色节能
●MOSFET的沟道工艺及超级节工艺使我们的产品可以提供更低的
导通电阻和更高的开关速度性能
节省空间
●我们使用最新的芯片封装技术在保证低导通电阻及高效率的基础上
降低产品空间
应用广泛
●我们功率MOSFET提供30V到800V范围内多种组合的耐压产品，
可以满足您各种应用
沟道工艺 超级结工艺
（U-MOS-H／U-MOS -H） （DTMOS）
栅极的垂直沟道U型结构可以提高集成密度，降低 P层的垂直构造工艺使得东芝DTMOS第代系列产品可以
导通电阻。 在拥有高耐压的同时保持低导通电阻的性能。
通过应用单层外延的工艺技术，DTMOS第代可以实现高性
能、高效率，这主要得益于它精简的几何构造及生产过程。
东芝电子（中国）有限公司
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