第4章MOS场效应晶体管.pptVIP

（3）衬底跨导gmb 源与衬间加上反偏UBS ，会影响流过沟道的漏-源电流 将UDS换成UDsat，即饱和区衬底跨导； UDS愈高和|UBS | 愈低时，gmb数值愈大。 为获得高衬底跨导，需要选用高表面迁移率材料，设计大沟道宽长比和使用高掺杂衬底材料。 输出电流/ 源衬电压 2．漏源输出电导 gd （1）线性工作区 当UDS较小时， 在UGS不太大时，gdl与UGS成线性关系。 输出电阻1/gdl 随UGS 的增大而减小。 当漏-源电流较大时，gdl 与UGS的线性关系不再维持，是因为电子的迁移率随UGS的增加而减小。 随着UDS 的增大， 输出电流/ 输出电压 （2）饱和区 在理想情况下，IDS与UDS无关。饱和工作区的gds应为零，即输出电阻为无穷大。——曲线平坦 实际管，饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜，使输出电导不等于零，即输出电阻不为无穷大，有两个原因。 ① 沟道长度调制效应 当UDS ? UDsat时 沟道有效长度缩短 当（UGS ? UT）增大时，gm也增大。当UDS增加时，gds也增大使输出电阻下降。 ② 漏极对沟道的静电反馈作用 当UDS增大时，漏端N+ 区内束缚的正电荷增加，漏端耗尽区中的电场强度增大。 漏区的一些电力线会终止在沟道中，N型沟道区中电子浓度增大，从而沟道的电导增大； 若管的沟道长度较小，即漏源间的间隔较小，导电沟道的较大部分就会受到漏极电场的影响； 如果衬底材料的电阻率较低，漏衬以及沟衬之间耗尽区较窄，静电反馈的影响就较小。 这种效应是指衬底低掺杂，沟道短的情况下，漏衬PN结耗尽区宽度以及表面耗尽区宽度与沟道长度可比拟时，漏区和沟道之间将出现静电耦合，漏区发出的场强线中的一部分通过耗尽区中止于沟道，致使反型层内电子数量增加的现象 ; 3．串联电阻对 gm 和 gd的影响 （1）对跨导的影响 外接串联电阻RS ——源区的体电阻、欧姆接触及电极引线等附加电阻 RS影响后的跨导 跨导将减小 RS 起负反馈作用，可以稳定跨导。 如果 RS gm 很大， 深反馈情况，跨导与器件参数无关。 源区 （2）对输出电导的影响 RD 在线性工作区受RS及RD影响的有效输出电导 串联电阻RD和RS会使跨导和输出电导变小，应尽量减少漏极和栅极串联电阻。 4.5.2 MOS管频率特性 宽带简化电路模型 输源电容 栅漏电容 输出电容 Cin是栅-漏电容CGD与栅-源电容CGS的并联 CO是漏-源电容CDS与衬-漏PN结势垒电容CBD的并联 CGS 输入电容 1．截止频率fT 理想情况——忽略栅-漏电容CGD以及漏极输出电阻rD ，Cin ≈CGS 截止频率?T ——流过栅-源电容CGS上的交流电流上升到正好等于电压控制电流源gmUGS电流时（电流放大倍数等于1）的频率 ?T = 2? fT 在饱和工作区时 截止频率fT与沟道长度L的平方成反比，沟道短的fT会更高。 2．最高工作频率 fM fM —— 功率增益等于1时的频率； 当栅-源间输入交流信号之后，从栅极增加流进沟道的载流子分成两部分，其中一部分对栅-沟电容CGC充电，另一部分径直通过沟道流进漏极，形成漏-源输出电流。 当信号频率? 增加，流过栅-沟电容CGC的信号电流增加，从源流入沟道的载流子用于增加栅-沟电容CGC充电的部分，直至? 增大到足够大，使全部沟道电流用于充电，则漏极输出信号为0，即流入栅-沟电容CGC的电流等于输入信号引起的沟道电流时的频率? ，为MOS管的最高工作频率? M 。 管跨导愈大，最高工作频率愈高； 栅极-沟道电容CGC愈小，最高工作频率也愈高； 管的高频优值 gm/CGC ——衡量管的高频特性，比值愈高，高频特性愈好。 提高fM ，从结构方面应当使沟道长度缩短到最低限度，也必须尽可能增大电子在沟道表面的有效迁移率?n。 硅材料电子迁移率?n比空穴迁移率?p大 。 ?M = 2? fM 第六讲 （1学时） 教学目标：了解非本征、本征开关过程的主要影响因素，掌握两种不同开关过程中延迟时间的计算方法； 教学重点：本征、本征开关延迟时间计算； 教学难点：本征、本征开关延迟时间计算； 教学方法：讲授法。 4.6 MOS管的开关特性(Switching feature) 开关状态——管主要工作在两个状态，导通态和截止态； 两种开关特性——本征与非本征开关延迟特性； 本征延迟：载流子通过沟道的传输所引起的大信号延迟； 非本征延迟：被驱动的负载电容充-放电以及管间的RC延迟。 MOS管用来构成数字集成电路，如 构成触发器、存储器、移位寄存器等。构成