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内容;pn结电容简述;势垒电容CT;扩散电容;突变结的电容电压特性;突变结模型
势垒区的电荷密度：
势垒区宽度：;电中性条件：
例：
如pn结p区掺杂NA=1016cm-3；n区掺杂ND=1018cm-3；则：
xp=100 xn
xD=xp+xn≈xp
势垒区主要在杂质浓度低的一端扩展：
;泊松方程：DV=-r/e;;边界条件：外加电势只降落于势垒区（耗尽层近似）
因此：
;设p区中性区电势为0，则
所以：
电势分布：
;突变结的势垒宽度;单边突变结
如果pn结两边掺杂浓度相差较大，则VD，XD只由低掺杂一边的杂质浓度决定
例：p+n结：NAND, xnxp, XD ≈xn
; 例：p+n结：NAND, xnxp, XD ≈xn
势垒高度也可以表达为：VD= -εmXD/2
经验公式（Si）：
;非平衡态的pn结（外加电压）;不同偏置电压下的pn结;推广：外加偏压V;突变结的势垒电容;突变结势垒电容
影响因子：NB，A（控制电容）；
随外加偏压变化：
正偏压下势垒电容的修正(结电流贡献)：
势垒电容和平行板电容的比较：
XD随所加偏压变化；
;线性缓变结;线性缓变结势垒电容;边界条件：（耗尽层近似）
势垒区电场：
电场最大值：
;继续积分：
设x=0；V(0)=0；B=0
势垒区电势：
接触电势差：;势垒宽度：
外加偏压V：
接触电势差：
势垒区宽度：
势垒区电量：
电容：;扩散电容;扩散电容;pn结微分电容：
p+n结的扩散电容：
扩散电容公式只适用于低频情况；
比较：CT，CD
大正偏压：CDCT；
反向偏压：CTCD；
;例：设Si pn结两边掺杂分别为Na=1016cm-3，Nd=1015cm-3，（ni=1.5 × 1010cm-3）
1. 求接触电势差VD。
2. 求势垒区宽度。
3. 求势垒区电场极大值。
VD=0.635eV；
XD=0.951mm；
εm=-1.34×104V/cm;例：;电容电压特性的应用;CV特性测量杂质分布;变容器;p+n结：;;;;
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