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光辐射探测器的理论基础 简介 光辐射探测器是一种由入射光辐射引起可度量物理效应的器件。探测器分类: 光电探测器 真空光电器件:光电管、光电倍增管、 真空摄像管、变像管、象增强器。 固体光电器件:光敏电阻、光电池等等 热探测器: 热电偶&热电堆、热释电探测器等等 3.1 半导体基础 回忆....... 导体:自然界中很容易导电的物质称为导体 金属一般都是导体。 绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体, 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 一、半导体的结构 电子器件所用的半导体具有晶体结构,大多数是晶体材料。 晶体分为单晶和多晶。 单晶:在一块材料中原子全部按照有规则的周期性排列,这种晶体成为单晶。 多晶:只在很小范围内原子有规则的排列,形成小晶粒,而晶粒之间有无规则排列的晶粒界隔开,这种材料称为多晶。 1、电子的共有化运动 在孤立原子中电子遵守泡利不相容原理&能量最低原理。 泡利不相容原理:原子中同一能级的核外电子轨道中只能容纳自旋相反的两个电子,每个电子层中可能容纳轨道数是n2个、每层最多容纳电子数是2n2 。 能量最低原理:核外电子总是先占有能量最低的轨道,只有能量最低的轨道占满后,电子才依次进入能量较高的轨道。 在半导体中,原子之间距离很近,使原子的各个壳层之间有不同程度的交叠。以硅和锗的共价键结构为例: 电子共有化运动的过程 2、能带结构(energy band) 原子能级分裂成能带的示意图 1.满带:能带中各能级都被电子填满。 ·满带中的电子不能起导电作用 晶体加外电场时,电子只能在带内不同能级间交换,不能改变电子在能带中的总体分布。 ·满带中的电子由原占据的能级向带内任一能级转移时,必有电子沿相反方向转换,因此,不会产生定向电流,不能起导电作用。 2.空带:所有能级均未被电子填充的能带。 ·由原子的激发态能级分裂而成,正常情况下空着; ·当有激发因素(热激发、光激发)时,价带中的电子可被激发进入空带; ·在外电场作用下,这些电子的转移可形成电流。所以,空带也是导带。 3.导带:被电子部分填充的能带。… ·在外电场作用下,电子可向带内未被填充的高能级转移,因而可形成电流。 ·价带:价电子能级分裂后形成的能带。 有的晶体的价带是导带; 有的晶体的价带也可能是满带。 价电子:原子中最外层的电子。 4.禁带:在能带之间的能量间隙区,电子不能填充。 ·禁带的宽度对晶体的 导电性有重要的作用。 ·若上下能带重叠,其 间禁带就不存在。 导带:比价带能量更高的允许带称为导带。 导带中的电子称为自由电子。 价带中出现电子的空穴称为自由空穴。 自由电子和自由空穴统称为载流子。 禁带宽度小者,电子容易跃迁到导带,所以导电性能高。 锗的禁带宽度比硅的小,所以其导电性随温度变化比硅更显著。 施主(donor)能级:这种杂质能级因靠近导带,杂质价电子极易向导带跃迁。因向导带供应自由电子,所以这种杂质能级称施主能级。 因搀杂(即使很少),会使导带中自由电子的浓度比同温下纯净半导体空带中的自由电子的浓度大很多倍,从而大大增强了半导体的导电性能。 其导电机制:杂质中多余电子经激发后跃迁到导带而形成的。 这种杂质的能级紧靠价带顶处,?EA10-1eV,价带中的电子极易跃入此杂质能级,使价带中产生空穴。这种杂质能级因接受电子而称受主(acceptor)能级。 ·这种搀杂使价带中的空穴的浓度较纯净半导体的空穴的浓度增加了很多倍,从而使半导体的导电性能增强。这种杂质半导体称空穴型半导体,或p型半导体。 导电机制:主要是由价带中空穴的运动形成的。 二、热平衡条件下的载流子的浓度 载流子浓度:是指单位体积内的载流子数。 激发:电子从不断热振动的晶体中获得一定的能量,从价带跃迁到导带形成自由电子,同时在价带中出现自由空穴。 复合:在热激发的同时也有电子从导带跃迁到价带并向晶格放出能量,这就是电子空穴的复合。 在一定温度下激发和复合形成平衡,我们称为热平衡。 1、能级密度 指在导带和价带内单位体积,单位能量能级数目,用N(E)表示。 导带内的能级密度: 价带内的能级密度: 2、费米能级&电子占据率 电子遵循费米-狄拉克(Fermi-Dirac)统计分布规律。能
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