1,2 自由电子气 费米分布 态密度 比热.pptVIP

第八章 金属 第一节 导体、绝缘体和半导体的能带特征 元素周期表中，金属元素占大多数 金属大部分位于元素周期表左边（电负性很弱，原子容易失去电子，电子与原子核结合松散） 金属的晶体结构中，配位数比较大，hcp=12, fcc=12, bcc=8（一般共价或者离子晶体n=4-6）。 价电子在原子核之间分布，原子之间成键无明显方向性（金属延展性好）。 金属中有很多“空的空间”供电子运动，这样电子波函数比较延展，则能量较低。比如Li的原子间距3埃，但Li离子半径只有0.5埃。 Insulator and Metal from Band Theory 第二节 费米分布函数和比热容 二、基态（T=0K）下的分布函数和自由电子气的费米能 在零温下，分布函数： 其中 称为亥维赛单元函数(Heaviside step function) 在基态下，所有能量小于或等于费米能的态都被占据，而所有能量高于费米能的态都空着，费米面就是价电子的最高能量，有 对于自由电子气，有 将其代入5.1.3得到 其中 是电子浓度，零温下，Ef只依赖于电子浓度。 系统的基态能量为： 每个电子的平均能量为 电子的平均速度为 因为 根据热力学关系，求得电子气的零温压强为 对于一般金属 得到 三、激发态（T0K）时，自由电子气的费米能 因为基态费米能是很高的能量，定义费米温度： 它的大小大约在 50,000 K， 室温T相对而言就很低了 所以分布函数在室温下，与基态时相差不大，仅仅是费米面附近KBT范围内的电子被激发到费米面上，而在费米面下留下些空穴。室温和零温下的费米能相差也很小。 因为 分布函数为 温度的影响： 有 它近似是一个关于EF对称的δ函数。 分布函数的这些特点使得我们可以采用近似方法得到 非零温下的费米能： 令 对5.1.15积分 因为 ，上式右边第一项为0， 第二项中 峰值在Ef处 将Q(E)在费米面处作泰勒展开，准确到第二项： 上式右边第一项积分 第二项： 第三项，令 所以5.1.17变为 由于Ef非常接近于零温下的费米能，将Q(Ef)作泰勒展开，并精确到T^2项： 注意到 由5.1.19得到 因为 ，由5.1.20有 随着温度升高，费米能略有下降，假设 在0K和300K之间Ef相对下降约为 电子气与经典气体统计性质的差异，称为简并性。泡利原理使得电子气具有极大的零温能和零温压强，是简并的特点。下面的条件是简并的判据： 只要温度T比费米温度Tf低得多，电子气就是简并的，判据5.1.22和5.1.8定义了临界的电子浓度，当 则电子气就是简并的。可见电子浓度越大，温度越低，简并性越强。T=0K，电子是完全简并的，在室温下，金属电子气也是高度简并的。 临 四、自由电子气的比热容 温度T时，电子气的总能量 利用和上面相同的近似方法，引入 得到 注意到 是基态能量， 得到 式中第二项为电子的热激发能量。实际上温度T时，只有EF附近的kBT范围内的电子被热激发。热激发的电子数大约为每个电子的平均热激发能为kBT，因此总的热激发能大约为 ，估算值和计算值只差一个常数 从5.1.27，得到自由电子气的比热容： 利用 得到 因此 与经典气体不同，电子气的比热容与温度成正比。在室温附近，它只是经典比热的1%左右，电子对比热容的贡献微乎其微。这是因为大多数低于费米能的电子不参与热激发，只有费米面附近的电子才对比热有贡献。 金属的总比热容应该包括晶格比热容和电子比热容： 温度高于德拜温度，晶格比热容其主导作用。 只有在低温下，电子对金属的比热容才有显著贡献。 在T趋近于0时，电子比热容按照T的线性函数趋于0，而晶格比热容按照T3趋于0： 令 得到一个温度 以铜为例，取 得到 低于此温度电子比热容占优势。 测金属的低温比热容，一般做Cv/T和T2的曲线，我们将得到一个直线，斜率即系数b，截距就是γ。 对于很多金属，实验测量得到的γ值，与自由电子模型的符合的很好。也有些材料，两者的偏差是来自于自由电子气模型过于简单。 理论和实验的电子比热容系数 对于过渡族金属