DB13_T1828-2013太阳能级类单晶硅片（规范）.docVIP

ICS 29.045 H 82 DB13 河 北 省 地 方 标 准 DB13/T 1828—2013 太阳能级类单晶硅片 Quasi-mono crystalline silicon solar wafers 2013 - 12 - 02 发布 2013 - 12 - 20 实施 河北省质量技术监督局 发 布 DB13/T 1828—2013 前 言 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由保定市质量技术监督局提出。 本标准起草单位：英利能源（中国）有限公司。 本标准主要起草人员：张运锋、孟庆超、尹青松、张晓芳、高文宽、潘明翠。 I DB13/T 1828—2013 太阳能级类单晶硅片 1 范围 本标准规定了太阳能级类单晶硅片的分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。 本标准适用于太阳能级类单晶硅片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 25074 太阳能级多晶硅 GB 50034-2004 建筑照明设计标准 DB13/T 1633-2012 太阳能级多晶硅片 3 定义和术语 GB/T 14264、GB/T 25074和DB13/T 1633界定的及下列术语和定义适用于本文件。为了便于使用， 以下重复列出了DB13/T 1633的术语和定义。 3.1 类单晶硅片 quasi-mono crystalline silicon wafers 由类单晶硅锭进行加工得到的，并且单晶比例大于80%的硅片称为类单晶硅片。 3.2 单晶比例 percentage of the single grain 类单晶硅片表面最大晶粒的面积与硅片表面积的比值，可以用百分比形式表示。 3.3 翘曲度 warpage 硅片表面扭曲的形变量与中心轴之间的差值。 3.4 1 DB13/T 1828—2013 亮线 bright line 硅片表面锯痕深度小于20μm，肉眼可分辨的亮度明显高于正常硅片表面颜色的轻微锯痕。 3.5 崩边 edge chip 硅片边缘呈现的单面局部破损。一般用宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。 h h a 崩边或缺口 a 宽度 h 延伸度 h a 图1 崩边、缺口示意图 3.6 缺口 breakage 硅片边缘呈现贯穿正反两面的局部破损。一般宽度（见图1中a）、延伸度（见图1中h）表示。 4 分类 4.1 按单晶比例分类 类单晶硅片按单晶比例分为一类片和二类片。 4.2 按产品质量分类 类单晶硅片按外观、规格尺寸和电学特性分为一级品和二级品。 5 质量技术要求 5.1 单晶比例 一类片：单晶比例≥98%的类单晶硅片。 二类片：单晶比例＜98%且≥80%的类单晶硅片。 5.2 品级要求 5.2.1 外观 外观要求见表1。 2 DB13/T 1828—2013 表1 外观要求 项目 要求 一级品 二级品 崩边(宽度a / mm，延伸度h / mm) a≤1且h≤1，个数不限 a?1或h?1，个数不限 缺口(宽度a / mm，延伸度h / mm) a≤0.1且h≤0.1，个数不限 锯痕深度/μm ≤20 ?20且≤40 微晶最大横径/mm 0 ＜30 翘曲度/μm ≤100 ≤100 亮线 亮线面积≤硅片面积的四分之 亮线面积?硅片面积的四分之一，且≤ 硅片面积的二分之一 弯曲度/μm ≤100 表面质量 表面平整，无裂纹、孔洞、杂质等； 表面洁净、无沾污、手印等 表面平整，无裂纹、孔洞、杂质等； 表面沾污面积≤硅片总面积的5%，但 不允许有油污 5.2.2 规格尺寸 规格尺寸要求见表2。 表2 规格尺寸要求 项目 要求 一级品 二级品 规格 156mm×156mm，或由供需双方商定 规格 156mm×156mm，或由供需双方商定规格 210 ?30 200 ?25 硅片厚度偏差/μm 190 ?20 180 ?20 170 ?20 160 ?20 210 ≤50 200 ≤40 硅片总厚度变化 190 (TTV)/μm 180 170 ≤35 ?35 且≤45 160 边长偏差/mm 125 ?0.5 156 ?0.5 角度偏差 9